用于蚀刻半导体结构的含氧和碘的氢氟烃化合物制造技术

一种方法，该方法包括：将含氧和碘的蚀刻化合物的蒸气引入容纳有衬底的腔室中，该衬底具有沉积在其上的含硅膜和沉积在该含硅层上的图案化掩模层，其中该含氧和碘的蚀刻化合物具有式C<subgt;n</subgt;H<subgt;x</subgt;F<subgt;y</subgt;I<subgt;z</subgt;O<subgt;e</subgt;，其中0≤n≤10，0≤x≤21，0≤y≤21，1≤z≤4，并且1≤e≤2；使等离子体活化以产生经活化的含氧和碘的蚀刻化合物；以及允许在该经活化的含氧和碘的蚀刻化合物与该含硅膜之间进行蚀刻反应，以从该图案化掩模层选择性地蚀刻该含硅膜，从而形成图案化结构。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及蚀刻含硅膜以形成图案化结构的方法，特别地涉及使用含氧和碘的化合物在图案化掩模层上蚀刻含硅膜以形成图案化结构的方法，其中这些含氧和碘的化合物具有式cnhxfyizoe，其中0≤n≤10，0≤x≤21，0≤y≤21，1≤z≤4并且1≤e≤2，使得通过将来自由经活化的含氧和碘的蚀刻化合物产生的碘离子的碘掺杂到图案化掩模层中来加固、增强图案化掩模层，或使对其损坏最小化。

技术介绍

1、在半导体工业中，对于3d nand，对多个sio/sin或sio/多晶硅(p-si)层的堆叠进行蚀刻是关键的。参见，例如，三星电子公司(samsung electronics co.,ltd.)的us2011/0180941。在掩模与被蚀刻层之间具有高选择性的蚀刻剂是必要的。此外，经蚀刻的结构应该具有直的竖直轮廓而无弯曲以及低的线蚀刻粗糙度(ler)。

2、用于蚀刻氧化硅的标准氢氟烃是与氧化剂(例如o2)和稀有气体(例如ar、kr、xe)组合的cc4f8、c4f6。对于氮化硅蚀刻，通常，将以上列出的气体与含氢碳氟化合物诸如chf2、chf3、ch3f等混合。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种用于形成图案化结构的方法，该方法包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的方法，其中，该步骤c)包括以下步骤：

3.如权利要求1所述的方法，其进一步包括将惰性气体引入该反应腔室的步骤，其中该惰性气体选自由He、Ar、Xe、Kr、Ne和N2组成的组。

4.如权利要求1所述的方法，其进一步任选地包括将氧化剂引入该反应腔室的步骤，其中该氧化剂选自O2、O3、CO、CO2、NO、N2O、NO2、H2O、H2O2、COS、SO2及其组合。

5.如权利要求1所述的方法，其中，该含氧和碘的蚀刻化合物是C3F7IO及其异构体。>

6.如权利要...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种用于形成图案化结构的方法，该方法包括以下步骤：

2.如权利要求1所述的方法，其中，该步骤c)包括以下步骤：

3.如权利要求1所述的方法，其进一步包括将惰性气体引入该反应腔室的步骤，其中该惰性气体选自由he、ar、xe、kr、ne和n2组成的组。

4.如权利要求1所述的方法，其进一步任选地包括将氧化剂引入该反应腔室的步骤，其中该氧化剂选自o2、o3、co、co2、no、n2o、no2、h2o、h2o2、cos、so2及其组合。

5.如权利要求1所述的方法，其中，该含氧和碘的蚀刻化合物是c3f7io及其异构体。

6.如权利要求1所述的方法，其中，该含硅膜包含以下各项的层：氧化硅(sio)、氮化硅(sin)、晶体si、多晶硅(p-si)、多晶硅、无定形硅、低-k sicoh、siocn、sic、sion、siaobhccdne，其中a>0；b、c、d和e≥0，交替的sio和sin(onon)层，或交替的sio和p-si(opop)层。

7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，该含氧和碘的蚀刻化合物等离子体蚀刻该交替的sio和sin(onon)层，其对于该sio层相对于sin层具有在大约1:2至大约2:1之间的选择性。

8.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，该含氧和碘的蚀刻化合物等离子体蚀刻该交替的sio和p-si(opop)层，其对于该sio层相对于p-si层具有在大约1:2至大约2:1之间的选择性。

9.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其中，该图案化掩模层是含碳层、无定形碳层、掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员：法布里齐奥·马切吉亚尼，
申请(专利权)人：乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司，
类型：发明
国别省市：