【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电表,具体地说是一种可延长电能表eeprom寿命的存储方法。
技术介绍
1、eeprom(electrically erasable programmable read only memory)是指带电可擦可编程只读存储器。是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。eeprom可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息,重新编程。一般用在即插即用。电表的电量是逐渐累计增加,变化最频繁的是最低字节的数据。为避免突然掉电造成数据丢失,所以每0.01kwh就要将电量数据存入eeprom。
2、现在eeprom里面,基本上是电量的整数部分和小数部分四个字节同时一次性写入,eeprom的寿命理论上是存储100万次,但是实际上并不一定能达到,频繁的写入操作就会容易出现eeprom被写坏的情况,一旦写坏就会导致数据出错,但是eeprom的优点就是成本低。虽然可以更换成寿命更长的存储器件,成本就会增加。
3、所以如何在低成本的基础上,优化存储方法,减少在同一个地方存储的次数,是目前需要解决的问题。
技
<本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种可延长电能表EEPROM寿命的存储方法,其特征在于该存储方法包括:
2.根据权利要求1所述的一种可延长电能表EEPROM寿命的存储方法,其特征在于所述的小数部分E[0]的偏移寻址规则为:小数部分E[0]存储位置是根据整数部分E[1]的值,E[1]的值为一个十六进制的数字,如果E[1]的值为0,则小数部分的值存储在偏移为0的位置,如果E[1]的值为1,则小数部分的值存储在偏移为1的位置,以此类推,直到小数部分的值增加到0x100,整数部分E[1]的值加1;当E[1]大于等于0x80时,需将E[0]写在E[1]对0x80取余后得到的值的位置。
< ...【技术特征摘要】
1.一种可延长电能表eeprom寿命的存储方法,其特征在于该存储方法包括:
2.根据权利要求1所述的一种可延长电能表eeprom寿命的存储方法,其特征在于所述的小数部分e[0]的偏移寻址规则为:小数部分e[0]存储位置是根据整数部分e[1]的值,e[1]的值为一个十六进制的数字,如果e[1]的值为0,则小数部分的值存储在偏移为0的位置,如果e[1]的值为1,则小数部分的值存储在偏移为1的位置,以此类推,直到小数部分的值增加到0x100,整数部分e[1]的值加1;当e[1]大于等于0x80时,需将e[0]写在e[1]对0x80取余后得到的值的位置...
【专利技术属性】
技术研发人员:马巧娟,张建启,鲁燕飞,张福才,许呈现,谢东丰,王晖,刘欢,施政祥,李飞月,张容,王超月,
申请(专利权)人:浙江恒业电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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