【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种八氟环丁烷纯化设备。
技术介绍
1、目前，在生产半导体设备的方法中，进行气体蚀刻，以便部分除去薄膜材料，从而形成能构成半导体电路的电路图案。同时，用清洁气体除去沉积物，以除去在薄膜形成期间沉积在反应器内侧的薄膜原料。常用于半导体设备生产工艺的蚀刻或清洁气体之一是八氟环丁烷。
2、在八氟环丁烷制备过程中碳－碳键的断裂会导致大量碎片的产生，因此八氟环丁烷粗品气中会有含c、f、cl、h等元素的碳氟有机物，这些杂质在集成电路的刻蚀和清洗中，会导致集成电路高缺陷率，影响电子产品性能和成品率,现阶段八氟环丁烷的纯化技术主要有精馏技术、吸附分离技术、化学转化法、膜分离技术。
3、例如，中国专利cn105777483a公开了一种高纯度八氟环丁烷的纯化方法，两个精馏塔串联，先采用氮气对纯化系统进行吹扫，吹扫后对所述纯化系统进行抽真空。然后初始料进入脱轻精馏塔，当塔内参数达指标后，打开脱轻精馏塔的气相排放阀门。当脱轻精馏塔的塔内液位到达65％～85％时，打开脱轻精馏塔液相排放阀门，脱轻精馏塔液相进入脱重精馏塔，当脱重精...
【技术保护点】
1.一种八氟环丁烷纯化设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的八氟环丁烷纯化设备，其特征在于，所述的填料层包括由下向上顺序设置的第一填料层、第二填料层、第三填料层，所述的第一填料层选用陶瓷材料，所述的第二填料层选用金属材料，所述的第三填料层选用树脂材料。
3.根据权利要求2所述的八氟环丁烷纯化设备，其特征在于，所述的第一填料层采用氧化铝陶瓷和\或氮化硅陶瓷。
4.根据权利要求2所述的八氟环丁烷纯化设备，其特征在于，所述的第二填料层采用不锈钢、铜或镍。
5.根据权利要求2所述的八氟环丁烷纯化设备，其特征在于，所述...
【技术特征摘要】
1.一种八氟环丁烷纯化设备，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的八氟环丁烷纯化设备，其特征在于，所述的填料层包括由下向上顺序设置的第一填料层、第二填料层、第三填料层，所述的第一填料层选用陶瓷材料，所述的第二填料层选用金属材料，所述的第三填料层选用树脂材料。
3.根据权利要求2所述的八氟环丁烷纯化设备，其特征在于，所述的第一填料层采用氧化铝陶瓷和\或氮化硅陶瓷。
4.根据权利要求2所述的八氟环丁烷纯化设备，其特征在于，所述的第二填料层采用不锈钢、铜或镍。
5.根据权利要求2所述的八氟环丁烷纯化设备，其特征在于，所述的第三填料层采用聚碳酸酯、聚二甲基硅氧烷或醋酸纤维素。
6.根据权利要求1所述的八氟环丁烷纯化设备，其特征在于，所述的精馏塔内设置有多个填料层，所述的杂质排出口设置有多个，所述的精馏塔上与每个所述的填料层相邻的位置开设有所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈朝琦，王勇，
申请(专利权)人：南通詹鼎材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：
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