【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及真空干燥，尤其涉及一种真空干燥工艺。
技术介绍
1、钙钛矿太阳能电池的制备工艺之一为通过狭缝涂布的方式在基板上涂布形成钙钛矿液膜，之后需要对钙钛矿液膜进行干燥，以使得钙钛矿液膜进行成核和涨晶，现有对于钙钛矿液膜进行干燥的方式之一是采用vcd（vacuum concentration drying），即一种用于对待干燥面进行真空干燥的设备，该设备用于对钙钛矿液膜进行真空干燥。
2、钙钛矿液膜置于vcd腔体内后，钙钛矿液膜中的溶剂会在vcd腔体内蒸发，当钙钛矿液膜进入饱和状态或过饱和状态时，钙钛矿液膜内会同时进行成核和涨晶，通过控制vcd腔体内的压降速度可以调节钙钛矿液膜中溶剂的蒸发速度，进而调节成核涨晶过程。一般快速的蒸发速率可以加速成核，减少成核涨晶并存的时间，进而实现成核速率远远大于涨晶速率，当均匀成核以后即可通过加热退火缓慢涨晶，由于涨晶是在成核的基础上涨晶，故使涨晶过程可控。
3、现有的vcd通常为下抽式结构，即在基板的下方形成抽真空孔，基板上方的钙钛矿液膜产生的蒸气流动至基板边缘并被基板下方...
【技术保护点】
1.一种真空干燥工艺，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的真空干燥工艺，其特征在于，所述吸气口的孔径自所述吸气口邻近待干燥面的一端朝向远离待干燥面的一端逐步减小，且所述吸气口形成空心的圆台状结构或空心的方锥形结构。
3.根据权利要求1所述的真空干燥工艺，其特征在于，所述吸气口邻近待干燥面一端的第一开口的直径为第一间距的8-12倍，所述吸气口远离待干燥面一端的第二开口为直径的0.2-0.6倍；所述吸气口中第一开口的直径为1-300mm。
4.根据权利要求1所述的真空干燥工艺，其特征在于，所述第一集气孔的第一孔径与所述吸气口中第...
【技术特征摘要】
1.一种真空干燥工艺，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的真空干燥工艺，其特征在于，所述吸气口的孔径自所述吸气口邻近待干燥面的一端朝向远离待干燥面的一端逐步减小，且所述吸气口形成空心的圆台状结构或空心的方锥形结构。
3.根据权利要求1所述的真空干燥工艺，其特征在于，所述吸气口邻近待干燥面一端的第一开口的直径为第一间距的8-12倍，所述吸气口远离待干燥面一端的第二开口为直径的0.2-0.6倍；所述吸气口中第一开口的直径为1-300mm。
4.根据权利要求1所述的真空干燥工艺，其特征在于，所述第一集气孔的第一孔径与所述吸气口中第二开口的直径相同；所述第一均分腔的第一宽度与所述第一集气孔的第一孔径相同，所述第一均分腔的第一高度为所述第一均分腔的第一宽度的0.5-1.2倍；
5.根据权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：请求不公布姓名，请求不公布姓名，请求不公布姓名，王锦山，
申请(专利权)人：德沪涂膜设备苏州有限公司，
类型：发明
国别省市：
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