【技术实现步骤摘要】
本技术实施例是关于集成电路技术，特别是关于静态随机存取存储器。
技术介绍
1、在深次微米集成电路技术(deep sub-micron integrated circuit technology)中，嵌入式静态随机存取存储器装置(static random access memory；sram)已成为高速通讯、图像处理、以及系统单芯片(system-on-chip；soc)产品的热门存储器单元。微处理器以及系统单芯片中的嵌入式sram的数量不断增加，以满足每个新技术世代的效能要求。随着硅技术持续从一个世代到下一世代的微缩化，寄生效应(parasitic effects)对sram装置效能的影响可能会越来越大。举例来说，随着半导体部件的尺寸持续微缩，寄生电阻以及寄生电容可能会成为更重要的影响因素。这些寄生效应可能会降低最小操作电压(vmin)以及sram单元的速度，从而可导致sram性能低于标准或甚至装置故障。
2、因此，尽管现有的sram装置通常都能够满足其预期的目的，但它们并非在各个面向中都完全令人满意。
【技术保护点】
1.一种静态随机存取存储器装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的静态随机存取存储器装置，其特征在于，所述多个前侧金属线更包括：一第一字元线及一第一接地线于该第二区之内，使得该第一字元线与该第二位元线在一上视图中沿着一垂直方向重叠，且该第一接地线亦与该第二位元线沿着该垂直方向重叠。
3.如权利要求2所述的静态随机存取存储器装置，其特征在于，所述多个前侧金属线更包括：一第二字元线及一第二接地线于该第二区之内，使得该第二字元线与该第二互补位元线沿着该垂直方向重叠，且该第二接地线亦与该第二互补位元线沿着该垂直方向重叠。
4.如权利...
【技术特征摘要】
1.一种静态随机存取存储器装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的静态随机存取存储器装置，其特征在于，所述多个前侧金属线更包括：一第一字元线及一第一接地线于该第二区之内，使得该第一字元线与该第二位元线在一上视图中沿着一垂直方向重叠，且该第一接地线亦与该第二位元线沿着该垂直方向重叠。
3.如权利要求2所述的静态随机存取存储器装置，其特征在于，所述多个前侧金属线更包括：一第二字元线及一第二接地线于该第二区之内，使得该第二字元线与该第二互补位元线沿着该垂直方向重叠，且该第二接地线亦与该第二互补位元线沿着该垂直方向重叠。
4.如权利要求2所述的静态随机存取存储器装置，其特征在于，该第一字元线电性地连接至一共享栅极，该共享栅极自该第一区沿着垂直于该第一方向的一第二方向延伸横跨至该第二区，其中该第一接地线电性地连接至一共享源极/漏极接触件，该共享源极/漏极接触件自该第一区沿着该第二方向延伸横跨至该第二区，其中该共享栅极作为该第一静态随机存取存储器单元的一导通闸晶体管以及该第二静态随机存取存储器单元的一导通闸晶体管的一栅极电极，且该共享源极/漏极接触件电性地连接至该第一静态随机存取存储器单元的一下拉...
【专利技术属性】
技术研发人员：包家豪，林建隆，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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