【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别是涉及一种芯片换热结构的制备方法及芯片换热结构。
技术介绍
1、随着半导体
的不断发展，当前高性能芯片和微系统的热流密度及功耗逐渐上升，这对于热管理技术提出了更高的要求。若热量无法及时散出，则将导致产品性能下降甚至发生损坏。
2、相关技术中通常采用如下方法制备形成芯片换热结构：在一张硅晶圆上刻蚀形成多孔薄膜结构，在另一张硅晶圆上刻蚀形成供液通道，随后将两张硅晶圆对准键合形成整体。
3、相关技术中，由于需要两张硅晶圆，其材料成本较高，且两硅晶圆之间键合的良率较低，结构稳定性无法保证。
技术实现思路
1、鉴于上述问题，本申请实施例提供一种芯片换热结构的制备方法及芯片换热结构，以解决相关技术中硅晶圆的材料成本较高的问题。
2、本申请实施例提供了一种芯片换热结构的制备方法，所述方法包括：
3、在晶圆的第一表面刻蚀形成多个间隔分布的换热肋片，多个所述换热肋片之间的区域为流道；
4、将第一光刻胶涂布于所述流道内；<...
【技术保护点】
1.一种芯片换热结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的芯片换热结构的制备方法，其特征在于，所述在晶圆的第一表面刻蚀形成多个换热肋片的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的芯片换热结构的制备方法，其特征在于，所述烧结处理的步骤包括：
4.根据权利要求1所述的芯片换热结构的制备方法，其特征在于，所述通过物理气相沉积在所述流道内及所述换热肋片的顶部蒸镀形成第一金属层的步骤包括：
5.根据权利要求1所述的芯片换热结构的制备方法，其特征在于，所述第二溶液为四氢呋喃溶液、丙酮溶液或乙酸乙酯溶液。
<...【技术特征摘要】
1.一种芯片换热结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的芯片换热结构的制备方法，其特征在于，所述在晶圆的第一表面刻蚀形成多个换热肋片的步骤包括：
3.根据权利要求1所述的芯片换热结构的制备方法，其特征在于，所述烧结处理的步骤包括：
4.根据权利要求1所述的芯片换热结构的制备方法，其特征在于，所述通过物理气相沉积在所述流道内及所述换热肋片的顶部蒸镀形成第一金属层的步骤包括：
5.根据权利要求1所述的芯片换热结构的制备方法，其特征在于，所述第二溶液为四氢呋喃溶液、丙酮溶液或乙酸乙酯溶液。
6.根据权利要求2所述的芯片换热结构的制...
【专利技术属性】
技术研发人员：张驰，石上阳，杜建宇，金玉丰，王玮，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：
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