功率管及电机驱动控制电路、系统、方法、电子产品技术方案

本发明专利技术提供一种功率管及电机驱动控制电路、系统、方法、电子产品，包括：当功率管的开关控制信号配置为控制功率管导通时，基于开关控制信号控制功率管；当开关控制信号配置为控制功率管关断时，若功率管中的反向电流大于第一设定值则判定有续流电流流过功率管，并控制功率管导通，采用主动沟道续流；若功率管中的反向电流小于第二设定值则判定没有续流电流流过功率管，并控制功率管关断；其中，第一设定值与第二设定值均大于零，且第一设定值大于第二设定值。本发明专利技术在电路领域进行改进，不会造成工艺成本的增加；避免反向电流从寄生二极管通过，从而达到减小功耗、确保系统正常工作，且安全可靠的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路领域，特别是涉及一种功率管及电机驱动控制电路、系统、方法、电子产品。

技术介绍

1、在bcd工艺（全称为bipolar-cmos-dmos工艺技术，是一种单片集成工艺技术；这种技术在同一芯片上制作双极管bipolar、cmos和dmos器件）下开发的电机驱动类产品，会用到大功率的mosfet器件（通常总宽度>10mm），器件会占用比较大的die（裸片）面积（通常面积>0.2mm2）。 当大电流从功率器件的寄生二极管中流过时，会造成额外的寄生三极管导通，轻则增加功耗，重则产生闩锁，甚至烧毁芯片，因此，需要避免大电流流过功率器件寄生二极管的情况发生；当然，应用在其他产品中的功率器件同样存在上述问题。

2、因此，如何避免大电流流过功率器件的寄生二极管，进而减小损耗、维持芯片正常工作，已成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。

3、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本专利技术的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本专利技术的背景技术部分进行了阐述而本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种功率管控制方法，其特征在于，所述功率管控制方法至少包括：

2.一种电机驱动控制方法，其特征在于，所述电机驱动控制方法至少包括：

3.根据权利要求2所述的电机驱动控制方法，其特征在于：所述第三设定值等于所述第五设定值，所述第四设定值等于所述第六设定值。

4.一种功率管控制电路，用于实现如权利要求1所述的功率管控制方法，其特征在于，所述功率管控制电路至少包括：

5.根据权利要求4所述的功率管控制电路，其特征在于：所述第一采样模块包括检测管及电阻，所述检测管与所述电阻串联后连接在所述功率管的源极和漏极之间，所述检测管的控制端连接所述功率管...

【技术特征摘要】

1.一种功率管控制方法，其特征在于，所述功率管控制方法至少包括：

2.一种电机驱动控制方法，其特征在于，所述电机驱动控制方法至少包括：

3.根据权利要求2所述的电机驱动控制方法，其特征在于：所述第三设定值等于所述第五设定值，所述第四设定值等于所述第六设定值。

4.一种功率管控制电路，用于实现如权利要求1所述的功率管控制方法，其特征在于，所述功率管控制电路至少包括：

5.根据权利要求4所述的功率管控制电路，其特征在于：所述第一采样模块包括检测管及电阻，所述检测管与所述电阻串联后连接在所述功率管的源极和漏极之间，所述检测管的控制端连接所述功率管的栅极，且所述检测管与所述功率管的通断状态一致。

6.根据权利要求5所述的功率管控制电路，其特征在于：所述检测管与所述功率管的高压端连接，所述电阻与所述功率管的低压端连接。

7.根据权利要求5所述的功率管控制电路，其特征在于：所述电阻的阻值为所述检测管导通时阻值的1/20倍~1倍。

8.根据权利要求4-7任意一项所述的功率管控制电路，其特征在于：所述第一迟滞比较模块从所述第一采样模块获取采样到的反向电压，当所述反向电压增大至导通阈值时判定所述功率管中有续流电流流过，当所述反向电压减小至关断阈值时判定所述功率管...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕一松，陈光，
申请(专利权)人：浙江英能电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：