高电平到低电平的电平转换电路制造技术

本发明专利技术公开了一种高电平到低电平的电平转换电路，主体电路包括上拉和下拉电路，分别连接在第一输出端和第一电源电压之间以及第一输出端和地之间。输出信号从第一输出端输出，下拉电路的输入端连接输入信号。输入信号的高电平为第二电源电压，第二电源电压大于第一电源电压；输出信号的高电平为第一电源电压。下拉电路采用耐压大于第二电源电压的高压NMOS管连接形成。上拉电路的控制端的控制信号由输出信号得到，上拉电路采用低压PMOS管连接形成。下拉电路中还包括设置在第一输出端和对应的高压NMOS管的漏极之间的第一电阻，用于在较宽的第二电源电压变化范围下调节占空比。本发明专利技术能提高电路上拉能力，提高转换速度和优化电路性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体集成电路，特别是涉及一种高电平到低电平的电平转换电路(level shifter)。

技术介绍

1、如图1所示，是现有一种常见的高电平到低电平的电平转换电路的电路图，高电平到低电平的电平转换电路也能简称为高电平转低电平电路或者高电平到低电平转换电路，由图1所示可知，现有高电平到低电平的电平转换电路由一个cmos反相器组成，cmos反相器则由高压nmos管hvmn101和高压pmos管hvmp101连接形成，高压pmos管hvmp101的源极接电源电压vdd，高压nmos管hvmn101的漏极和高压pmos管hvmp101的漏极连接并作为输出信号lvoutput的输出端。

2、高压nmos管hvmn101的栅极和高压pmos管hvmp101的栅极连接并作为输入信号hvinput的输入端。

3、高压nmos管hvmn101的源极接地gnd。

4、输出信号lvoutput中的lv表示低电压域，故输出信号lvoutput是低电压域信号，输出信号lvoutput的高电平为电源电压vdd，电源电压vdd通常作本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高电平到低电平的电平转换电路，其特征在于，包括：主体电路；

2.如权利要求1所述的高电平到低电平的电平转换电路，其特征在于：所述上拉电路包括第一低压PMOS管和第二低压PMOS管；

3.如权利要求2所述的高电平到低电平的电平转换电路，其特征在于：所述下拉电路中的所述高压NMOS管包括第一高压NMOS管和第二高压NMOS管；

4.如权利要求3所述的高电平到低电平的电平转换电路，其特征在于：电平转换电路还包括第一反相器，所述第一反相器的电源端连接所述第二电源电压，所述第一反相器的输入端连接所述第一输入信号，所述第一反相器的输出端输出所述第二输入信号...

【技术特征摘要】

1.一种高电平到低电平的电平转换电路，其特征在于，包括：主体电路；

2.如权利要求1所述的高电平到低电平的电平转换电路，其特征在于：所述上拉电路包括第一低压pmos管和第二低压pmos管；

3.如权利要求2所述的高电平到低电平的电平转换电路，其特征在于：所述下拉电路中的所述高压nmos管包括第一高压nmos管和第二高压nmos管；

4.如权利要求3所述的高电平到低电平的电平转换电路，其特征在于：电平转换电路还包括第一反相器，所述第一反相器的电源端连接所述第二电源电压，所述第一反相器的输入端连接所述第一输入信号，所述第一反相器的输出端输出所述第二输入信号。

5.如权利要求4所述的高电平到低电平的电平转换电路，其特征在于：所述第一反相器为cmos反相器，包括第三高压pmos管和第三高压nmos管；

【专利技术属性】
技术研发人员：黄河，吕斌，何军，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：