一种适用于FDSOI器件总剂量效应的加固电路制造技术

本发明专利技术提供适用于FDSOI器件总剂量效应的加固电路，涉及半导体技术领域。此电路包括：阈值电压测量电路、比较器电路和反压电荷泵电路，阈值电压测量电路分别与比较器电路和反压电荷泵电路连接，比较器电路与反压电荷泵电路连接。这样，通过阈值电压测量电路实时监测器件的阈值电压，通过比较器电路将阈值电压与参考电压比较以输出比较电压，在比较电压为高电平时，高电平比较电压控制反压电荷泵电路产生负背栅偏置电压，从而对器件的阈值电压进行调节，来改善总剂量效应对器件产生的影响。该电路可直接在器件所应用到的集成电路上对电路进行改善，不需要将集成电路推翻重做，使得对FDSOI器件总剂量效应的加固所需的时间短以及成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，尤其涉及一种适用于全耗尽绝缘体上硅(fullydepleted silicon on insulator，fdsoi)器件总剂量效应的加固电路。

技术介绍

1、随着摩尔定律的发展，fdsoi借助埋氧层上超薄的硅膜和独有的体偏置技术，具有更低的电容、结漏电和良好的抗辐照性能，这使得通过fdsoi工艺制备的fdsoi器件，在航空、航天等领域中成为不可或缺的重要选择。长期工作在辐照环境下的fdsoi器件，其电学性能会发生扰动和退化，从而导致整个集成电路系统失效。其中，由高能射线及带电粒子引起电子器件内部电离，导致器件电学性能退化的累积效应称为总剂量(total ionizingdose，tid)效应，总剂量效应是影响电子器件寿命的主要因素且无法消除。这就需要对fdsoi器件进行总剂量效应的加固，来改善总剂量效应对fdsoi器件产生的影响。

2、目前，对fdsoi器件总剂量效应的加固实现方式为，对fdsoi器件进行加固，具体是对fdsoi器件使用不同形状的栅极、加入p+掺杂、加入牺牲层等。然而，加固fdsoi器件需要对fdsoi器本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种适用于FDSOI器件总剂量效应的加固电路，其特征在于，所述电路包括：阈值电压测量电路、比较器电路和反压电荷泵电路，

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述阈值电压测量电路包括产生模块电路，所述产生模块电路包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、电流源Ibias、电容C1、缓冲器、SN高电平脉冲电路和SP低电平脉冲电路，所述MOS管M1、所述MOS管M2、所述MOS管M3、所述MOS管M4和所述MOS管M5构成电流镜电路；

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述阈值电压测量电路还包括测量模块电路，所述测量模块...

【技术特征摘要】

1.一种适用于fdsoi器件总剂量效应的加固电路，其特征在于，所述电路包括：阈值电压测量电路、比较器电路和反压电荷泵电路，

2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于，所述阈值电压测量电路包括产生模块电路，所述产生模块电路包括mos管m1、mos管m2、mos管m3、mos管m4、mos管m5、电流源ibias、电容c1、缓冲器、sn高电平脉冲电路和sp低电平脉冲电路，所述mos管m1、所述mos管m2、所述mos管m3、所述mos管m4和所述mos管m5构成电流镜电路；

3.根据权利要求2所述的电路，其特征在于，所述阈值电压测量电路还包括测量模块电路，所述测量模块电路包括衬底选择电路、mos管m6、mos管m7、电容c2，

4.根据权利要求3所述的电路，其特征在于，所述产生模块电路用于在所述输入端vg输入预设三角波时，通过所述电流镜电路对mos管m1的漏极电流ids进行复制并输出，并将所述电流ids与预设电流进行比较，在所述电流ids小于所述预设电流时，对所述电容c1充电则输入端vq为高电平，在所述电流ids大于所述预设电流时，对所述电容c1放电则输入端vq为低电平，所述vm端产生下降沿和高电平脉冲sn，所述高电平脉冲sn输入到所述sp低电平脉冲电路产生低电平脉冲sp。

5.根据权利要求4所述的电路，其特征在于，所述测量模块电路用于在接收到高电平脉冲sn时，所述mos管m7导通，所述电容c2放电，所述输出阈值电压vth为低电平；在接收到所述低电平脉冲sp时，所述mos管m6导通，所述电容c2充电，所述输出阈值电压vth等于所述电容c2的电压。

6.根据权利要求5所述的电路，其特征在于，所述比较器电路包括mos管m14、mos管m15、mos管m16、mos管m17、mos管m18、mos管m19、mos管m20、mos管m21、电流源ibias和电容cl，

7.根据权利要求6所述的电路，...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘红侠，高田芝，刘昌，王树龙，陈树鹏，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：