【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开内容总体涉及过孔。更具体地，本公开内容涉及包括电镀层的锥形过孔。
技术介绍
1、对微型化和改进的电性能的期望已使3d与2.5d芯片堆叠架构出现，这种堆架构使用竖直电互连。可通过形成穿过基板的孔洞和形成在孔洞内的导电路径来制造这些竖直互连，从而产生具有高电性能的短互连。穿硅过孔(tsv)已经是最著名的竖直互连。然而，与片的3d堆叠相关联的挑战已经将注意力转移到2.5d芯片堆叠架构，因为2.5d芯片堆叠架构是不太昂贵且具有更少的集成挑战。2.5d芯片堆叠架构可通过对具有竖直互连的非有源基板(不具有集成前端器件)的使用来实现，非有源基板通常被称为中介物。中介物基板可由硅或玻璃制成。
2、具有穿玻璃过孔(tgv)的玻璃中介物是有吸引力的，因为玻璃相较于硅具有许多优点，包括更低成本、可调的热膨胀系数(cte)和优越的高频性能。然而，tgv的形成具有因玻璃基质的cte(例如，对于熔融二氧化硅，约0.6ppm/℃)与金属填料的cte(例如，对于铜，约16.7ppm/℃)之间的失配而造成的热-机械挑战。这种cte差异导致在热循环期间的...
【技术保护点】
1.一种过孔，包括：
2.如权利要求1所述的过孔，其中所述锥形通孔包括接近所述第一表面的第一直径和接近所述第二表面的第二直径，所述第二直径小于所述第一直径，并且
3.如权利要求2所述的过孔，其中所述第一直径在约80微米与约160微米之间的范围内，并且
4.如权利要求1所述的过孔，其中所述晶种层包括在约0.2微米与约2.0微米之间的范围内的厚度。
5.如权利要求1所述的过孔，其中所述基板包括玻璃、玻璃陶瓷或陶瓷。
6.如权利要求1所述的过孔，进一步包括：
7.如权利要求1所述的过孔，进一步包括：p>
8.如权利...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种过孔，包括：
2.如权利要求1所述的过孔，其中所述锥形通孔包括接近所述第一表面的第一直径和接近所述第二表面的第二直径，所述第二直径小于所述第一直径，并且
3.如权利要求2所述的过孔，其中所述第一直径在约80微米与约160微米之间的范围内，并且
4.如权利要求1所述的过孔，其中所述晶种层包括在约0.2微米与约2.0微米之间的范围内的厚度。
5.如权利要求1所述的过孔，其中所述基板包括玻璃、玻璃陶瓷或陶瓷。
6.如权利要求1所述的过孔，进一步包括：
7.如权利要求1所述的过孔，进一步包括：
8.如权利要求7所述的过孔，其中所述附着层包括在约0.02微米与约0.2微米之间的范围内的厚度。
9.一种过孔，包括：
10.如权利要求9所述的过孔，其中所述聚合物包括溶胶凝胶。
11.如权利要求9所述的过孔，其中所述锥形通孔包括接近所述第一表面的第一直径和接近所述第二表面的第二直径，所述第二直径...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。