输出级电路、电子设备及信号输出方法技术

本发明专利技术提供一种输出级电路、电子设备及信号输出方法，包括：输出模块，具有串联在正电源和负电源之间的放大级及偏置级，偏置级包括以共源共栅结构连接的第一、第二全隔离高压NMOS管，第一全隔离高压NMOS管的栅极连接第一偏置电压，第二全隔离高压NMOS管的栅极连接第二偏置电压；偏置模块，基于第一全隔离高压NMOS管的源极电压产生并调整第一偏置电压，使得输出信号的输出摆幅为第一、第二全隔离高压NMOS管的耐压值的2倍。本发明专利技术可以提高输出摆幅（传统的输出摆幅不高于N型隔离晶体管的一倍耐压值），本发明专利技术通过在N型隔离晶体管上设置新型的偏置模块，使输出摆幅达到N型隔离晶体管的两倍耐压值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种微电子，特别是涉及一种输出级电路、电子设备及信号输出方法。

技术介绍

1、对于需要同时偏置正负电源的电路（例如正负输出的电压放大器），为了可以偏置负电源，电路中需要使用全隔离n型高压管以不影响整个芯片的衬底。在同一个高压bcd（bipolar-cmos-dmos）工艺下，p型高压管的耐压值会远远大于n型全隔离高压管的耐压值，电路的输出峰峰值通常不高于所用n型全隔离高压管的一倍耐压值，输出摆幅较小可能导致长距离传输时信号衰减、易受到外部噪声的干扰、动态范围受限、负载驱动能力差、信号不完整、误码率增加、功率效率低、限制信号处理能力、影响测量精度和分辨率等问题。

2、因此，如何拓展输出摆幅、提高电路性能，已成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。

3、应该注意，上面对技术背景的介绍只是为了方便对本专利技术的技术方案进行清楚、完整的说明，并方便本领域技术人员的理解而阐述的。不能仅仅因为这些方案在本专利技术的
技术介绍
部分进行了阐述而认为上述技术方案为本领域技术人员所公知。

技术实现思路...

【技术保护点】

1.一种输出级电路，其特征在于，所述输出级电路至少包括：

2.根据权利要求1所述的输出级电路，其特征在于：所述第一全隔离高压NMOS管的漏极连接所述输出模块的输出端，源极连接所述第二全隔离高压NMOS管的漏极，栅极连接所述第一偏置电压；所述第二全隔离高压NMOS管的源极连接所述负电源。

3.根据权利要求1或2所述的输出级电路，其特征在于：所述放大级包括第一高压PMOS管，所述第一高压PMOS管的源极连接所述正电源，漏极连接所述输出模块的输出端，栅极接收所述输入信号。

4.根据权利要求1所述的输出级电路，其特征在于：所述偏置模块包括第一电压跟随单元、第二...

【技术特征摘要】

1.一种输出级电路，其特征在于，所述输出级电路至少包括：

2.根据权利要求1所述的输出级电路，其特征在于：所述第一全隔离高压nmos管的漏极连接所述输出模块的输出端，源极连接所述第二全隔离高压nmos管的漏极，栅极连接所述第一偏置电压；所述第二全隔离高压nmos管的源极连接所述负电源。

3.根据权利要求1或2所述的输出级电路，其特征在于：所述放大级包括第一高压pmos管，所述第一高压pmos管的源极连接所述正电源，漏极连接所述输出模块的输出端，栅极接收所述输入信号。

4.根据权利要求1所述的输出级电路，其特征在于：所述偏置模块包括第一电压跟随单元、第二电压跟随单元及分压单元；所述第一电压跟随单元的高压端连接中间电压，低压端连接所述负电源，输入端连接所述第一全隔离高压nmos管及所述第二全隔离高压nmos管的连接节点；所述第二电压跟随单元的低压端连接所述负电源，输入端连接所述第一电压跟随单元的输出端；所述分压单元连接于所述中间电压与所述第二电压跟随单元的输出端之间，产生所述第一偏置电压；

5.根据权利要求4所述的输出级电路，其特征在于：所述第一电压跟随单元包括第三全隔离...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈学峰，张元曦，
申请(专利权)人：光梓信息科技深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：