【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在半导体器件等的制造中使用的反射型光掩模的制造方法，以及作为反射型光掩模的原材料，用于其制造的反射型光掩模坯料。
技术介绍
1、随着半导体器件的微细化，特别是大规模集成电路的高集成化，对投影曝光要求较高的图案分辨率。因此，在光掩模方面，作为提高转印图案分辨率的方法，开发了相移掩模。相移法的原理是，通过调整为通过光掩模的相移膜的开口部的透射光的相位相对于通过与开口部相邻的相移膜的部分的透射光的相位反转约180度，由此，在开口部和与开口部相邻的部分的边界部，透射光发生干涉从而光强度降低，其结果就是，转印图案的分辨率和焦深得到提高，采用该原理的光掩模统称为相移掩模。
2、作为在相移掩模的制造中使用的相移掩模坯料，最一般的结构是在玻璃基板等透明基板上层叠相移膜，并在相移膜上层叠由含有铬(cr)的材料形成的膜。相移膜通常相对于曝光光的相位差为175～185度，透射率为6％～30％左右，含有硅(si)的膜、特别是由含有钼(mo)和硅(si)的材料形成的相移膜是目前的主流。另外，一般情况下，由含有铬的材料形成的膜与相移膜一起...
【技术保护点】
1.一种反射型光掩模坯料，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的反射型光掩模坯料，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的反射型光掩模坯料，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的反射型光掩模坯料，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的反射型光掩模坯料，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的反射型光掩模坯料，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的反射型光掩模坯料，其特征在于：
8.根据权利要求1所述的反射型光掩模坯料，其特征在于：
9.根据权利要求1所述的反射型光掩模坯料
【技术特征摘要】
1.一种反射型光掩模坯料，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的反射型光掩模坯料，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的反射型光掩模坯料，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的反射型光掩模坯料，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的反射型光掩模坯料，其特征在于：
6.根据权利要求1所述的反射型光掩模坯料，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的反射型光掩模坯料，其特征在于：
8.根据权利要求1所述的反射型光掩模坯料，...
【专利技术属性】
技术研发人员：樱井敬佑，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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