一种抑制尖端氧化物再生的氮化硅蚀刻液、制备方法与应用技术

本发明专利技术涉及一种抑制尖端氧化物再生的氮化硅蚀刻液，按照重量份计算，包括如下组分：经羧基取代的嘧啶化合物0.3‑5份；还原性酸5‑10份；氨基酸0.4‑10份；浓磷酸75‑85份；超纯水10‑15份。本发明专利技术还公开了其制备方法与应用。本发明专利技术蚀刻液在对叠层氮化硅/氧化硅蚀刻时能够横向蚀刻氮化硅并保持氧化硅层的良好形状，在氧化硅层尖端出无氧化物再生。在不影响氮化硅蚀刻速率的基础上，能够显著抑制氧化硅尖端氧化物的再生，对氧化硅蚀刻速率低，选择性高。同时本发明专利技术蚀刻液中采用特定的还原性酸，能够促进蚀刻液的传质，从而保证了蚀刻的均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造工艺领域，尤其涉及一种抑制尖端氧化物再生的氮化硅蚀刻液制备方法与应用。

技术介绍

1、在3d nand闪存的制造过程中，通过多层氮化硅(si3n4)和氧化硅(sio2)垂直堆叠存储单元来增加非易失性存储密度。随着存储芯片的迅猛发展，3d nand工艺将不断增加氮化硅和氧化硅堆叠层数以获取更高的单位存储量。

2、然而随着si3n4/sio2堆叠层数的增加，使得蚀刻剂难以通过sio2/si3n4/sio2层状沟槽结构。此外，sio2/si3n4/sio2层状结构中si3n4蚀刻副产物在沟槽中的传质是有限的，很难保证si3n4蚀刻副产物从纳米沟槽中扩散出去，这通常会导致sio2蚀刻停止层上的异常再沉积，尤其是蚀刻副产物在sio2层的尖端周围凝结并诱导氧化物再生，如附图1所示。这种再沉积不仅阻碍了si3n4层的均匀蚀刻，还影响了后续金属沉积的工艺。更严重的是，这会导致相邻的一些氧化层相互接触和粘附，导致局部结构崩溃，这对器件的完整性、性能和可靠性都是有害的。

3、因此，需要开发一种氮化硅蚀刻液用于抑制尖端氧化物再生。本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种抑制尖端氧化物再生的氮化硅蚀刻液，其特征在于，按照重量份计算，包括如下组分：

2.根据权利要求1所述的抑制尖端氧化物再生的氮化硅蚀刻液，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的抑制尖端氧化物再生的氮化硅蚀刻液，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的抑制尖端氧化物再生的氮化硅蚀刻液，其特征在于：

5.根据权利要求2所述的抑制尖端氧化物再生的氮化硅蚀刻液，其特征在于：所述的经羧基取代的嘧啶化合物为尿嘧啶-5-羧酸。

6.根据权利要求3所述的抑制尖端氧化物再生的氮化硅蚀刻液，其特征在于：所述的还原性酸为草酸。

7.根...

【技术特征摘要】

1.一种抑制尖端氧化物再生的氮化硅蚀刻液，其特征在于，按照重量份计算，包括如下组分：

2.根据权利要求1所述的抑制尖端氧化物再生的氮化硅蚀刻液，其特征在于：

3.根据权利要求1所述的抑制尖端氧化物再生的氮化硅蚀刻液，其特征在于：

4.根据权利要求1所述的抑制尖端氧化物再生的氮化硅蚀刻液，其特征在于：

5.根据权利要求2所述的抑制尖端氧化物再生的氮化硅蚀刻液，其特征在于：所述的经羧基取代的嘧啶化合物为尿嘧啶-5-羧酸。

6.根据权利要求3所述的抑制尖端氧化物再生的...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯军，武文东，赵晓莹，杨丽慧，田继升，
申请(专利权)人：浙江奥首材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：