一种高精度高频振荡器制造技术

本发明专利技术提供了一种高精度高频振荡器，偏置电流模块、振荡器模块和LDO模块，所述偏置电流模块、振荡器模块和LDO模块集成于同一半导体模块上，所述LDO模块分别与偏置电流模块和振荡器模块连接，用于对偏置电流模块和振荡器模块提供用电；所述振荡器模块用于产生时钟信号；所述偏置电流模块与振荡器模块连接，所述偏置电流模块包括：正温电流电路和负温电流电路，用于控制振荡器中比较器的工作电流中正温电流和负温电流的大小，使得比较器延时受工作电流的影响可以忽略不计，视为一个固定值。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路设计，尤其涉及一种高精度高频振荡器。

技术介绍

1、在mcu中，振荡器起着非常重要的作用，产生稳定的时钟信号，用于同步和控制数字电路中的各种操作，如cpu的时钟信号、数据采样、定时器计数等。虽然晶体振荡器具有较高的频率稳定性，即较小的电压系数和温度系数。但因为成本高、难以集成到芯片内部，且需要模拟功能辅助晶体起振。因此，在部分芯片应用环境中可采用高精度的rc振荡器来替换晶体振荡器；

2、rc振荡器除可实现全内部集成之外，还具有结构简单，成本低，功耗低，频率可调等优点，其最基础的原理为对电容进行充放电，其实现公式为：it＝cv，由频率与时间的关系：最终可推导出频率公式：首先是产生一个基准电流和一个基准电压，基准电流对电容充电，当电容电压达到vref时，这段时间为半个周期，由于充电电流和参考电压具有较好的温度系数和电压系数，因此可以实现较高精度；

3、对上述电容充放电方案进行进一步优化，vref的产生方式为基准电流i*电阻r，此时如果充放电电流icharge和产生vref的电流都来自同一个源头，仅存在一个电流系数k本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高精度高频振荡器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种高精度高频振荡器，其特征在于，

3.如权利要求1所述的一种高精度高频振荡器，其特征在于，

4.如权利要求2所述的一种高精度高频振荡器，其特征在于，

5.如权利要求2所述的一种高精度高频振荡器，其特征在于，

6.如权利要求3所述的一种高精度高频振荡器，其特征在于，

7.如权利要求3所述的一种高精度高频振荡器，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种高精度高频振荡器，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的一种高精度高频振荡器，其特征在于，

3.如权利要求1所述的一种高精度高频振荡器，其特征在于，

4.如权利要求2所述的一种高精度高...

【专利技术属性】
技术研发人员：文钧，苗小雨，李振华，黄科，
申请(专利权)人：中微半导体深圳股份有限公司，
类型：发明
国别省市：