利用废靶制备氧化锡钽RPD靶材的方法技术

本发明专利技术属于电子陶瓷材料技术领域，公开了一种利用废靶制备氧化锡钽RPD靶材的方法，包括以下步骤：取TTO溅射废靶材，在稀盐酸中浸泡，洗涤，烘干；将烘干后的TTO溅射废靶材研磨成粉，过筛网，将过筛网的粉料进一步过细筛网，未过筛网的粉料为粗颗粒，过筛网的粉料为细颗粒；取粗颗粒、细颗粒与聚乙烯醇水溶液混合均匀，过筛网；将混合物料放入模具中，使用油压机压制成型，得到靶材素坯；用铝硅箔将得到的靶材素坯完全包覆，用真空封装机进行真空封装处理，然后冷等静压机压制；将得到的靶材素坯放入烧结炉中进行无压烧结，得到低密度多孔氧化锡钽RPD靶材。本发明专利技术以TTO溅射废靶材为原料制备氧化锡钽RPD靶材，可有效地减少资源的浪费。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子陶瓷材料，涉及一种利用废靶制备氧化锡钽rpd靶材的方法。

技术介绍

1、近年来，随着平板显示行业的蓬勃发展，透明导电氧化物(transparentconductive oxides，tcos)薄膜作为薄膜晶体管(tft)的重要组成部分，有着越来越广泛的应用，需求量也日益增加。tco是一种把导电性和透光性结合在一起的功能性材料，其作用是在有源半导体层之间传输载流子和光子。tco薄膜在太阳能电池、平板显示、有机电致发光器件、光电探测器、透明薄膜晶体管、柔性电子器件等领域都有广泛的应用。

2、目前，溅射镀膜和蒸发镀膜是目前主要的两种物理气相沉积(pvd)镀膜方式。溅射镀膜在工作过程中会产生许多杂质附着在膜层表面，从而影响膜层质量；同时溅射对基材温度要求高，在一定程度上制约了其应用领域的扩展。真空蒸发镀膜技术具有简单便利、成膜速度快等特点，主要应用于光学元器件、led、平板显示的镀膜。反应等离子体沉积(rpd)是近年来发展起来的另一种薄膜沉积技术，该方法具有沉积温度低、沉积面积大、生长速度快等优点。

3、氧化铟锡(ito)本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种利用废靶制备氧化锡钽RPD靶材的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3中所述粗颗粒和细颗粒的质量比为（3~8）：（1~5）。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4中油压机压制条件如下：压力30~80MPa，保压2~8 min。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5中冷等静压机压制条件如下：压力100~250MPa，保压5~30min。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤6中无压烧结的操作步骤如下：1）缓慢升温阶段：由室温升温至小于700℃的过程，升温速率...

【技术特征摘要】

1.一种利用废靶制备氧化锡钽rpd靶材的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3中所述粗颗粒和细颗粒的质量比为（3~8）：（1~5）。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4中油压机压制条件如下：压力30~80mpa，保压2~8 min。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤5中冷等静压机压制...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈杰，王诗，王海龙，孙本双，何季麟，
申请(专利权)人：郑州大学，
类型：发明
国别省市：