电路设计和优化方法、终端设备及存储介质技术

本发明专利技术公开了一种电路设计和优化方法、终端设备及存储介质,其步骤包括：对无公式表征的性能构建参数识别模型；对元件参数进行仿真，利用仿真数据拟合参数识别模型，得到有公式表达的性能函数；从全部性能函数中选取一个作为优化目标函数，其他性能函数、电路规范和基本性能要求作为约束函数；确定约束函数对优化目标函数的影响程度，对影响程度不小于设定值的约束函数选用外点法生成第一惩罚函数，对影响程度小于设定值的约束函数选用内点法生成第二惩罚函数；将第一惩罚函数、第二惩罚函数、优化目标函数构建无约束条件的目标函数，对无约束的目标函数进行优化。本方法能迅速得到全局最优化的电路参数，能以灵活的方式表达电路规格。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及射频电路优化设计，尤其涉及一种电路设计和优化方法、终端设备及存储介质。

技术介绍

1、随着射频通信的应用愈加广泛，现代无线通信中的多频段发展和带宽扩展，对lna(low noise amplifier,低噪声放大器)的性能需求越来越高。lna作为射频接收机的第一级放大器，其噪声系数、增益、线性度等参数直接影响接收机的灵敏度、动态范围和信噪比。因此，提高lna的性能是无线通信系统的重要目标。cmos(complementary metal oxidesemiconductor，互补型金属氧化物半导体)技术由于其低成本、高集成度的潜力以及与数字电路的兼容性，仍然是lna设计时的首选。cmos lna(complementary metal oxidesemiconductor, low noise amplifier，基于互补型金属氧化物半导体工艺的低噪声放大器)具有较高的集成度，可以减少系统的尺寸和功耗。此外，cmos lna还具有较好的可扩展性，可以满足现代无线通信系统对多频段和宽带的要求。

2、目前，利用cmos技术进行lna电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种电路设计和优化方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种电路设计和优化方法，其特征在于，所述参数识别模型为：

3.根据权利要求1所述的一种电路设计和优化方法，其特征在于，影响程度不小于设定值的所述约束函数，其对应的约束条件为不等式约束；影响程度小于设定值的所述约束函数，其对应的约束条件为等式约束。

4.根据权利要求1所述的一种电路设计和优化方法，其特征在于，还包括对影响程度不小于设定值的所述约束函数设置第一惩罚因子，所述第一惩罚因子按照如下公式设置：

5.根据权利要求4所述的一种电路设计和优化方法，其特征在于，根...

【技术特征摘要】

1.一种电路设计和优化方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种电路设计和优化方法，其特征在于，所述参数识别模型为：

3.根据权利要求1所述的一种电路设计和优化方法，其特征在于，影响程度不小于设定值的所述约束函数，其对应的约束条件为不等式约束；影响程度小于设定值的所述约束函数，其对应的约束条件为等式约束。

4.根据权利要求1所述的一种电路设计和优化方法，其特征在于，还包括对影响程度不小于设定值的所述约束函数设置第一惩罚因子，所述第一惩罚因子按照如下公式设置：

5.根据权利要求4所述的一种电路设计和优化方法，其特征在于，根据第一惩罚因子生成的所述第一惩罚函数的表达式为：

6.根据权利要求1所述的一种电路设计和优化方法，其特征在于，还包括对影响程度小于设定值的所述约束...

【专利技术属性】
技术研发人员：王诗其，李耘，唐红艳，徐珺妍，李锦韬，严圆，龙泳吉，郑凯，
申请(专利权)人：电子科技大学深圳高等研究院，
类型：发明
国别省市：