【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及电力电子，更具体地说，涉及一种降频控制电路、方法及应用其的多电平变换器。
技术介绍
1、三电平降压变换器具有高效率、高功率密度、低开关管电压应力和低电感量等优点，特别是在输入电压和输出电压之间降压比例大时具有突出优势。但是其低电流纹波特性带来的轻载降频问题，限制了三电平降压变换器在低功耗场景中的进一步应用。
2、为了平衡导通损耗和开关损耗间的损耗分配，dc-dc变换器需要在ccm模式中工作在pwm调制方式下，而在dcm模式中工作在pfm调制方式下。因此，当三电平降压变换器的占空比d接近0.5时，三电平降压变换器的临界连续电流接近0a，使得变换器难以从ccm模式进入到dcm模式。然而在ccm模式中，为了保证占空比不变，导通时间和开关频率需要同时调节，即pwm和pfm调制方式同时工作，容易引起稳定性的问题。因此，在ccm模式中，三电平降压变换器的低纹波电流特性使得其无法稳定工作在pfm调制方式中，从而导致轻载无法降频，影响变换器的轻载效率。
技术实现思路
1、有鉴于此...
【技术保护点】
1.一种多电平变换器的降频控制方法，所述多电平变换器包括电感、M个飞跨电容以及2*(M+1)个晶体管，所述电感连接在公共节点与输出端之间，且所述公共节点将所述2*(M+1)个晶体管分为M+1个上管以及M+1个下管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的降频控制方法，其特征在于，当需要增加一个电感电流上升阶段时，在每个所述上管关断后，使得所述上管再次开通第一时间以使得电感电流上升，所述第一时间小于所述上管的导通时间。
3.根据权利要求2所述的降频控制方法，其特征在于，在一个开关周期内，每个所述上管在关断后的紧邻的(i/(M+1))*Ts时刻...
【技术特征摘要】
1.一种多电平变换器的降频控制方法，所述多电平变换器包括电感、m个飞跨电容以及2*(m+1)个晶体管，所述电感连接在公共节点与输出端之间，且所述公共节点将所述2*(m+1)个晶体管分为m+1个上管以及m+1个下管，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的降频控制方法，其特征在于，当需要增加一个电感电流上升阶段时，在每个所述上管关断后，使得所述上管再次开通第一时间以使得电感电流上升，所述第一时间小于所述上管的导通时间。
3.根据权利要求2所述的降频控制方法，其特征在于，在一个开关周期内，每个所述上管在关断后的紧邻的(i/(m+1))*ts时刻起，使得所述上管开通所述第一时间，其中，i为不大于m的正整数，ts为所述开关周期。
4.根据权利要求1所述的降频控制方法，其特征在于，当需要增加一个电感电流下降阶段时，在每个所述上管的导通时间内，将所述上管关断第二时间以使得电感电流下降，所述第二时间小于所述上管的导通时间。
5.根据权利要求4所述的降频控制方法，其特征在于，在一个开关周期内，每个所述上管在紧邻的(i/(m+1))*ts时刻前，使得所述上管关断所述第二时间，其中，i为不大于m的正整数，ts为所述开关周期。
6.根据权利要求4所述的降频控制方法，其特征在于，在每个所述上管导通第三时间后，将所述上管关断直至紧邻的(i/(m+1))*ts时刻，然后继续导通所述上管直至预定的导通时间结束，从而使得所述电感电流下降，所述第三时间小于所述上管的导通时间。
7.根据权利要求1所述的降频控制方法，其特征在于，当所述上管的导通时间所对应的占空比小于1/(m+1)时，在所述电感的一个电感电流变化周期内，增加一个电感电流上升阶段。
8.根据权利要求1所述的降频控制方法，其特征在于，当所述上管的导通时间所对应的占空比大于m/(m+1)时，在所述电感的一个电感电流变化周期内，增加一个电感电流下降阶段。
9.根据权利要求1所述的降频控制方法，其特征在于，当所述上管的导通时间所对应的占空比处于i/(m+1)附近时，在所述电感的一个电感电流变化周期内，增加一个电感电流上升阶段和/或一个电感电流下降阶段，其中，i为不大于m的正整数。
10.根据权利要求1所述的降频控制方法，其特征在于，所述每个上管与一个对应的下管互补导通，且所述上管交错导通。
11.根据权利要求1所...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴羽，陈思远，
申请(专利权)人：南京矽力微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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