一种自蔓延合成氮氧化硅粉体的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种自蔓延合成氮氧化硅粉体的制备方法，包括：按质量百分比计，称取40%~65%的硅粉和35~60%的二氧化硅粉，稀释剂为硅粉与二氧化硅粉混合物总质量的5~25%，添加剂铵盐为硅粉与二氧化硅粉混合物总质量的1~10%，将上述称取好的原料在混料机中混合1h～10h，使其充分混合均匀；将混合均匀的粉体装入自蔓延反应器中，抽真空，然后充入高纯N<subgt;2</subgt;，充到预定压力，经通电点火点燃反应，进行自蔓延燃烧合成反应；燃烧反应完成后，自然冷却至室温，释放反应器内的压力，得到块状产物，经进一步细磨处理，得到氮氧化硅粉体。通过调整原料氧源非晶态二氧化硅与晶态二氧化硅的比例，调控反应主导机制及进程。本发明专利技术工艺方法简单，节能高效，除点火外不需要外部能源，反应快速；设备简单、生产成本低、周期短、更适于工业化生产等特点，合成的氮氧化硅粉体具有高纯度、高活性等，极具工业化前景。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于无机非金属材料领域，涉及氮氧化硅陶瓷粉末材料的制备领域，具体涉及一种自蔓延合成氮氧化硅粉体的制备方法。

技术介绍

1、氮氧化硅（si2n2o）是一种介于氮化硅（si3n4）和二氧化硅（sio2）之间的一种稳定结构，所以它的透波性能优于氮化硅陶瓷。氮氧化硅陶瓷是sio2 -si3n4体系中存在的唯一化合物，具有密度低 (理论密度 2.81 g/cm3 )、硬度高 (17-22 gpa)、介电常数小 (4.80，20℃，10ghz)、抗氧化性和抗热冲击优异等性能，在高温透波领域具有较大应用前景。

2、目前，合成氮氧化硅粉体的方法主要有：碳热还原法，高温氮化法，聚合物先驱体法等。碳热还原法是以二氧化硅为原料，通过碳还原来制备氮氧化硅粉体，反应温度高时间长，产物中存在多余碳，副产物多；高温氮化法是以硅粉和二氧化硅的混合物，在高温下通过与氮气反应直接氮化来制备 氮氧化硅粉体，反应温度高，反应时间长，且容易出现流硅现象，不易完全氮化；聚合物先驱体法是以含硅的有机聚合物先驱体通过热分解来制备氮氧化硅粉体，工艺过程复杂，污染环境等。这些方法具有生本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.本专利技术提供一种自蔓延制备氮氧化硅粉体材料的方法，其特征在于，工艺方法简单，原料易得，节能高效，反应快速，设备简单、生产成本低、更适于工业化生产等特点，合成的氮氧化硅粉体具有高纯度、高活性等；具体按照以下步骤实施：

2.根据权利要求1所述的本专利技术提供一种自蔓延制备氮氧化硅粉体材料的方法，其特征在于，所述的步骤（1）中稀释剂为氮氧化硅粉体，添加剂为铵盐氟化铵、氯化铵中的至少一种，氟化铵、氯化铵质量比为1：（1~5）。

3.根据权利要求1所述的本专利技术提供一种自蔓延制备氮氧化硅粉体材料的方法，其特征在于，所述的步骤（1）中反应剂二氧化硅粉为晶态二氧化硅、非...

【技术特征摘要】

1.本发明提供一种自蔓延制备氮氧化硅粉体材料的方法，其特征在于，工艺方法简单，原料易得，节能高效，反应快速，设备简单、生产成本低、更适于工业化生产等特点，合成的氮氧化硅粉体具有高纯度、高活性等；具体按照以下步骤实施：

2.根据权利要求1所述的本发明提供一种自蔓延制备氮氧化硅粉体材料的方法，其特征在于，所述的步骤（1）中稀释剂为氮氧化硅粉体，添加剂为铵盐氟化铵、氯化铵中的至少一种，氟化铵、氯化铵质量比为1：（1~5）。

3.根据权利要求1所述的本发明提供一种自蔓延制备氮氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱伟峰，赵向楠，容亚红，李旭，管晶，
申请(专利权)人：西安澳秦新材料有限公司，
类型：发明
国别省市：