【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种覆晶薄膜及显示模组。
技术介绍
1、cof(flip chip film，覆晶薄膜)技术是一种先进的薄膜封装手段，广泛应用于显示设备等微电子
当中；其主要原理是将驱动芯片等驱动元件的有源面直接贴装到衬底基板上，即对驱动元件进行“翻转”或“覆晶”，再通过微凸块(micro bump)或锡球(solder ball)等连接结构实现驱动元件与衬底基板的电连接；相较于引线键合和倒装芯片封装技术，具有更小的封装尺寸、更高的i/o密度、更好的散热性能以及更低的电感和电容效应，符合现代产品小型化以及高性能化的封装要求。相关技术中，覆晶薄膜的边缘区域容易积累静电电荷，且难以去除，当积累的静电电荷迁移至导电层或驱动元件时容易引发静电电弧，增加覆晶薄膜线路短接或击伤损坏的风险，影响产品的产品品质。
技术实现思路
1、有鉴于此，本申请的目的在于提出一种覆晶薄膜及显示模组，用以解决上述所提及的部分技术问题或全部技术问题。
2、基于上述目的，本申请的第一方面，提供了一种...
【技术保护点】
1.一种覆晶薄膜，其特征在于，包括：堆叠的衬底基板和导电层；
2.根据权利要求1所述的覆晶薄膜，其特征在于，所述第一静电走线连接有第一引导部，所述第一引导部设置于所述衬底基板，在所述衬底基板的正投影与所述绝缘层在所述衬底基板的正投影不重合。
3.根据权利要求2所述的覆晶薄膜，其特征在于，所述第一引导部设置有至少两个，至少两个所述第一引导部沿所述第一静电走线的延伸方向均匀排布。
4.根据权利要求3所述的覆晶薄膜，其特征在于，所述第一静电走线设置有至少两条，相邻两条所述第一静电走线的第一引导部之间交替设置。
5.根据权利要求...
【技术特征摘要】
1.一种覆晶薄膜，其特征在于，包括：堆叠的衬底基板和导电层；
2.根据权利要求1所述的覆晶薄膜，其特征在于，所述第一静电走线连接有第一引导部，所述第一引导部设置于所述衬底基板，在所述衬底基板的正投影与所述绝缘层在所述衬底基板的正投影不重合。
3.根据权利要求2所述的覆晶薄膜，其特征在于，所述第一引导部设置有至少两个，至少两个所述第一引导部沿所述第一静电走线的延伸方向均匀排布。
4.根据权利要求3所述的覆晶薄膜，其特征在于，所述第一静电走线设置有至少两条，相邻两条所述第一静电走线的第一引导部之间交替设置。
5.根据权利要求4所述的覆晶薄膜，其特征在于，所述第一静电走线在所述衬底基板表面呈直线延伸。
6.根据权利要求1所述的覆晶薄膜，其特征在于，所述第一静电走线的宽度为20μm-...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙筱烨，郑黎明，包玉峰，张一凡，何恒索，马川，
申请(专利权)人：成都京东方显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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