拼接靶材形成方法技术

一种拼接靶材形成方法，包括：提供焊接材料，所述焊接材料包括：两块或者两块以上的靶材坯料籽块和背板；将两块或者两块以上的靶材坯料籽块进行拼接，形成靶材坯料；在靶材坯料的焊接面采用高温胶带密封靶材坯料籽块拼接处的缝隙；在所述背板的焊接面添加钎料；对所述添加钎料的背板和具有高温胶带的靶材坯料的焊接面进行焊接，形成靶材。本发明专利技术提供的拼接靶材形成方法能够降低大尺寸靶材的制造成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及。
技术介绍
物理气相沉积(PVD)技术，例如溅射，应用于很多领域，用于提供带有原子级光滑 表面的具有精确控制厚度的薄膜材料沉积物。在溅射过程中，位于充满惰性气体气氛的腔 室里的靶材暴露于电场中而产生等离子区。这个等离子区中的等离子与溅射靶材的表面发 生碰撞，从而从靶材表面逸出原子。靶材与待涂布基材之间的电压差使得逸出原子在半导 体衬底表面上形成预期的膜层。 —般，耙材组件是由符合溅射性能的靶材坯料和与所述靶材坯料结合、具有一定 强度的背板构成。所述背板可以在所述靶材组件装配至溅射基台中起到支撑作用，并具有 传导热量的功效。 随着半导体技术迅猛发展，半导体衬底的直径也从100mm、150mm、200mm发展为 300mm甚至450mm。相应的，为了得到更好的物理气相沉积效果，耙材组件中的部件尺寸也 相应增长，对于靶材坯料甚至要求符合溅射性能要求靶材坯料的直径要大于450mm。 而符合溅射性能要求靶材坯料通常为高纯度的金属，某些物理气相沉积所需的薄 膜，例如铬(Cr)，钼(Mo)等金属，制备符合物理气相沉积所需的高纯大尺寸的靶材坯料相 当困难，且费用昂贵。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是高纯大尺寸的铬或者钼等金属溅射靶材制备成本高昂 的技术问题。 为解决上述问题，本专利技术提供一种，包括提供焊接材料，所述 焊接材料包括两块或者两块以上的靶材坯料籽块和背板；将两块或者两块以上的靶材坯 料籽块进行拼接，形成靶材坯料；在靶材坯料的焊接面采用高温胶带密封靶材坯料籽块拼 接处的缝隙；在所述背板的焊接面添加钎料；对所述添加钎料的背板和具有高温胶带的靶 材坯料的焊接面进行焊接，形成靶材。 可选的，所述耙材坯料籽块材料为纯度为99. 5%至99. 999%铬。 可选的，所述耙材坯料籽块材料为纯度为99. 9%至99. 999%钼。 可选的，所述靶材坯料籽块形状为半圆饼状或者1/4圆饼状。 可选的，所述靶材坯料籽块通过靶材坯料籽块拼接面进行拼接。 可选的，所述靶材坯料籽块的拼接面经机械加工和抛光处理成平滑适于拼接。 可选的，在靶材坯料的焊接面采用高温胶带密封靶材坯料籽块拼接处的缝隙的步骤还包括采用高温胶带密封靶材坯料籽块侧面的拼接处缝隙。可选的，所述耙材坯料籽块的厚度为lmm至80mm。 可选的，所述背板材料为铝、铜、铝合金或者铜合金。 可选的，将两块或者两块以上的靶材坯料籽块进行拼接还包括采用外置固定设 备对所述靶材坯料籽块进行固定。 可选的，在所述背板的焊接面添加钎料包括步骤对所述背板的进行化学清洗； 在所述背板的焊接面涂敷钎料。 与现有技术相比，本专利技术具有以下优点本专利技术提供的不但能 够降低大尺寸靶材的制造成本，还能避免加热后的钎料泄漏至靶材坯料的溅射面，保持了 拼接靶材的溅射面对洁净度。附图说明 通过附图中所示的本专利技术的优选实施例的更具体说明，本专利技术的上述及其它目的、特征和优势将更加清晰。在全部附图中相同的附图标记指示相同的部分。并未刻意按实际尺寸等比例縮放绘制附图，重点在于示出本专利技术的主旨。图1为本专利技术的的一实施例的流程示意图； 图2至图5为本专利技术的的一实施例的过程示意图。具体实施例方式由
技术介绍
可知，随着半导体技术迅猛发展，为了得到更好的物理气相沉积效果， 靶材组件中的部件尺寸也相应增长，对于靶材坯料甚至要求符合溅射性能要求靶材坯料的 直径要大于450mm，而对于铬(Cr)，钼(Mo)等金属，制备符合物理气相沉积所需的高纯大尺 寸的靶材坯料相当困难，且费用昂贵。 为此，本专利技术的专利技术人经过大量的实验，提出一种先进的，包括提供焊接材料，所述焊接材料包括两块或者两块以上的靶材坯料籽块和背板；将两块或者两块以上的靶材坯料籽块进行拼接，形成靶材坯料；在靶材坯料的焊接面采用高温胶带密封靶材坯料籽块拼接处的缝隙；在所述背板的焊接面添加钎料；对所述添加钎料的背板和具有高温胶带的靶材坯料的焊接面进行焊接，形成靶材。 可选的，所述耙材坯料籽块材料为纯度为99. 5%至99. 999%铬。 可选的，所述耙材坯料籽块材料为纯度为99. 9%至99. 999%钼。 可选的，所述靶材坯料籽块形状为半圆饼状或者1/4圆饼状。 可选的，所述靶材坯料籽块通过靶材坯料籽块拼接面进行拼接。 可选的，所述靶材坯料籽块的拼接面经机械加工和抛光处理成平滑适于拼接。 可选的，在靶材坯料的焊接面采用高温胶带密封靶材坯料籽块拼接处的缝隙的步骤还包括采用高温胶带密封靶材坯料籽块侧面的拼接处缝隙。 可选的，所述耙材坯料籽块的厚度为lmm至80mm。 可选的，所述背板材料为铝、铜、铝合金或者铜合金。 可选的，将两块或者两块以上的靶材坯料籽块进行拼接还包括采用外置固定设 备对所述靶材坯料籽块进行固定。 可选的，在所述背板的焊接面添加钎料包括步骤对所述背板的进行化学清洗； 在所述背板的焊接面涂敷钎料。 在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况 下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。 其次，本专利技术利用示意图进行详细描述，在详述本专利技术实施例时，为便于说明，表 示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是实例，其在此不应 限制本专利技术保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。 图1为本专利技术的的一实施例的流程示意图，图2至图5为本发 明的的一实施例的过程示意图，下面参考图1至图5对本专利技术的拼接靶 材形成方法进行说明， 步骤S101，提供焊接材料，所述焊接材料包括包括两块或者两块以上的靶材坯 料籽块和背板。 参考图2，提供焊接材料，所述焊接材料包括靶材坯料籽块100和背板200。 在本实施例中，以两块半圆饼耙材坯料籽块100为例做示范性说明，当然，所述耙材坯料籽块100也可以为3块、4块、5块.......10块，在这里不一一列举，所述耙材坯料籽块100也可以为1/4圆饼状、或者为其他适于拼接形状，在此特地说明，不应过分限制本 专利技术的保护范围。 所述靶材坯料籽块100的材料为纯度为99. 5%至99.999%铬或者为纯度为99. 9%至99. 999%钼，因为铬或者钼制备符合物理气相沉积所需的高纯大尺寸的耙材坯料相当困难，且费用昂贵，所述靶材坯料籽块100的厚度可以为lmm至80mm不等。 而背板200的形状由溅射设备决定，材质可根据具体需要选择，一般可采用铝、铜、铝合金、铜合金等材质。 步骤S102，将两块或者两块以上的靶材坯料籽块100通过靶材坯料籽块拼接面进 行拼接，形成靶材坯料IIO。 参考图3，在本实施例中，依旧以两块半圆饼靶材坯料籽块100为例做示范性说 明，将靶材坯料籽块100的放置于工作台上，将靶材坯料籽块100的拼接面互相对准接触， 为了使得靶材坯料籽块100拼接效果更佳，还可以将所述靶材坯料籽块的拼接面经机械加 工和抛光处理成平滑适于拼接，并采用外置固定设备对所述靶材坯料籽块100进行固定， 使得靶材坯料籽块100拼接成靶材坯料110。 步骤S103，在靶材坯料110的焊接面采用高温胶带密封靶材坯料籽块拼接处的缝 隙。 参考图4，所述靶材坯料本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种拼接靶材形成方法，其特征在于，包括：提供焊接材料，所述焊接材料包括：两块或者两块以上的靶材坯料籽块和背板；将两块或者两块以上的靶材坯料籽块进行拼接，形成靶材坯料；在靶材坯料的焊接面采用高温胶带密封靶材坯料籽块拼接处的缝隙；在所述背板的焊接面添加钎料；对所述添加钎料的背板和具有高温胶带的靶材坯料的焊接面进行焊接，形成靶材。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：姚力军，潘杰，王学泽，陈勇军，刘庆，
申请(专利权)人：宁波江丰电子材料有限公司，
类型：发明
国别省市：33[中国|浙江]