硅负极片、制备方法及锂离子电池技术

本申请公开了硅负极片、制备方法及锂离子电池，包括集流体，还包括涂覆于集流体表面的第一涂层以及被包裹于第一涂层内的第二涂层；所述第一涂层包括第一活性物质，所述第一涂层中的活性物质为氧化亚硅；所述第二涂层包括第二活性物质，所述第二涂层中的活性物质为多孔硅球。本发明专利技术通过选用结构稳定性更好的氧化亚硅包裹于多孔硅球外部，利用氧化亚硅产生对多孔硅球膨胀时的阻力，迫使多孔硅球反应时向内膨胀，降低多孔硅球在膨胀时的体积，从而降低硅颗粒膨胀体积，并且多孔硅球内膨胀还降低了其本身的比表面积，减少多孔硅球与电解液产生的副反应，侧面提高了库伦效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及电池，尤其是涉及硅负极片，硅负极片的制备方法，具有该硅负极片的锂离子电池。

技术介绍

1、在所有负极材料中，硅具有最高的理论克容量，并且储量丰富，价格便宜，极具研究和应用潜力，更是近年来各大锂电池材料厂、电池厂的研究重点之一，硅材料的储锂机制是与锂发生合金化反应，由于锂和硅的合金化反应过程中会形成各种合金相，形态和结构发生了明显差异，硅锂化时，体积发生巨大膨胀，硅颗粒膨胀收缩导致电极的横向和纵向应力较大，极片容易褶皱和变形，接触变差，极化增大。

技术实现思路

1、为了解决上述现有技术中的问题，本申请提供硅负极片、制备方法及锂离子电池。

2、一方面，本申请提供的包括集流体，还包括涂覆于集流体表面的第一涂层以及被包裹于第一涂层内的第二涂层；

3、所述第一涂层包括第一活性物质，所述第一涂层中的活性物质为氧化亚硅；

4、所述第二涂层包括第二活性物质，所述第二涂层中的活性物质为多孔硅球。

5、作为本专利技术进一步的技术方案，所述第二涂层上间隔开设有平行于集流体的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.硅负极片，包括集流体，其特征在于：还包括涂覆于集流体表面的第一涂层以及被包裹于第一涂层内的第二涂层；

2.根据权利要求1所述的硅负极片，其特征在于：所述第二涂层上间隔开设有平行于集流体的通孔，相邻的两组通孔沿第二涂层的厚度方向立体交叉。

3.根据权利要求1所述的硅负极片，其特征在于：所述第一涂层贴合于集流体的一端开设有通道。

4.根据权利要求1所述的硅负极片，其特征在于：所述多孔硅球的粒径为80～90nm，孔径为8～12nm。

5.根据权利要求1任一项所述的硅负极片，其特征在于：所述第一涂层与第二涂层中均包括导电剂与粘结剂，所述第一涂层...

【技术特征摘要】

1.硅负极片，包括集流体，其特征在于：还包括涂覆于集流体表面的第一涂层以及被包裹于第一涂层内的第二涂层；

2.根据权利要求1所述的硅负极片，其特征在于：所述第二涂层上间隔开设有平行于集流体的通孔，相邻的两组通孔沿第二涂层的厚度方向立体交叉。

3.根据权利要求1所述的硅负极片，其特征在于：所述第一涂层贴合于集流体的一端开设有通道。

4.根据权利要求1所述的硅负极片，其特征在于：所述多孔硅球的粒径为80～90nm，孔径为8～...

【专利技术属性】
技术研发人员：王海旭，王璐，胡海云，
申请(专利权)人：安徽天宏基科技有限公司，
类型：发明
国别省市：