【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种聚合物及包含该聚合物的抗蚀剂组合物。
技术介绍
用于采用光刻工艺的半导体微组装(microfabrication)的抗蚀剂组合物含有产 酸剂,该产酸剂包含可通过辐射而产生酸的化合物。 在半导体微组装中,人们期望形成具有高灵敏度和高分辨率、并且具有较好图形 轮廓比如图形形状的图形,并且人们期待化学增幅抗蚀剂组合物可提供这样的图形。 US 2003/0099900 Al公开了一种具有由甲基丙烯酸(2_乙基-2-金刚烷)酯衍生 的结构单元和由对羟基苯乙烯衍生的结构单元的聚合物,以及一种包含该聚合物的抗蚀剂 组合物。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种聚合物以及含有该聚合物的抗蚀剂组合物。 本专利技术涉及下述内容 〈1> 一种聚合物,其包含由结构式(I)表示的结构单元 其中,R1代表氢原子或甲基,X代表直链或支链Cl-C6亚烷基、Z代表由结构式(Ia)表示的基团 其中,!^在各种情况下独立地是直链或支链C1-C6烷基,并且m代表0至15的整 数; 以及由结构式(II)表示的结构单元 〇一Z4〇H 其中,R3代表氢原子或甲基;R4在 ...
【技术保护点】
一种聚合物,其包含由结构式(Ⅰ)表示的结构单元: *** (Ⅰ) 其中,R↑[1]代表氢原子或甲基,X代表直链或支链C1-C6亚烷基、Z代表由结构式(Ⅰa)表示的基团: *** (Ⅰa) 其中,R↑[2]在各种情况下独立地是直链或支链C1-C6烷基,并且m代表0至15的整数;以及 由结构式(Ⅱ)表示的结构单元: *** (Ⅱ) 其中,R↑[3]代表氢原子或甲基;R↑[4]在各种情况下独立地是直链或支链C1-C6烷基,并且n代表0至4的整数。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员:安藤信雄,桥本和彦,
申请(专利权)人:住友化学株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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