【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于金属材料表面处理，涉及一种铜镍硅系合金的电解抛光液及电解抛光方法。
技术介绍
1、近些年来，铜合金因其机械、热和电气性能的出色组合而被广泛研究，这些合金广泛用于各种行业，包括电子、汽车、航空航天和发电。而随着半导体技术的飞速发展，芯片向小型化、多功能化、超大规模集成化方向发展，因此对芯片封装用引线框架铜合金带材的强度、导电率、弹性模量提出了越来越严苛的要求。铜镍硅(cu-ni-si)系合金被视为用作芯片封装用引线框架的最佳材料，但是此类合金由于形变量大，所以合金内部有很大的残余应力，传统抛光方法难以将残余应力去除，因此cu-ni-si系合金存在难以抛光或者抛光质量不高的问题，这对于后续的表征分析带来了极大的阻碍。
2、目前cu-ni-si系合金的抛光存在周期长、效果差、难度高的问题，有些方法的电解抛光液采用氢氟酸等有毒且会造成环境问题的酸，有些方法抛光后即使合金表面光亮，但是无法去除试样内部存在的大量残余应力，试样在扫描电子显微镜的ebsd探头下菊池信号非常弱，导致在后续的织构分析以及晶粒分析难以进行。所以需要...
【技术保护点】
1.一种铜镍硅系合金的电解抛光液，其特征在于，该电解抛光液包括以下体积份的组分：
2.根据权利要求1所述的一种铜镍硅系合金的电解抛光液，其特征在于，所述醇包括甲醇或乙醇。
3.一种铜镍硅系合金的电解抛光方法，其特征在于，该方法使用如权利要求1或2所述的铜镍硅系合金的电解抛光液进行电解抛光，所述方法包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的一种铜镍硅系合金的电解抛光方法，其特征在于，步骤S1中使用机械打磨和手工打磨进行打磨。
5.根据权利要求4所述的一种铜镍硅系合金的电解抛光方法，其特征在于，所述机械打磨的粒度为400～20
【技术特征摘要】
1.一种铜镍硅系合金的电解抛光液，其特征在于，该电解抛光液包括以下体积份的组分：
2.根据权利要求1所述的一种铜镍硅系合金的电解抛光液，其特征在于，所述醇包括甲醇或乙醇。
3.一种铜镍硅系合金的电解抛光方法，其特征在于，该方法使用如权利要求1或2所述的铜镍硅系合金的电解抛光液进行电解抛光，所述方法包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的一种铜镍硅系合金的电解抛光方法，其特征在于，步骤s1中使用机械打磨和手工打磨进行打磨。
5.根据权利要求4所述的一种铜镍硅系合金的电解抛光方法，其特征在于，所述机械打磨的粒度为400～2000目。
6.根据权利要求4所述的一种铜镍硅...
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