频率生成技术制造技术

本发明专利技术名称为“频率生成技术”。公开了一种涉及在特定频率的信号的生成的技术。例如，设备可包括振荡器模块、合成器模块、和控制模块。振荡器模块产生具有第一频率的振荡器信号。从该振荡器信号，合成器模块产生具有第二频率的输出信号。频率乘数对应于第一和第二频率。控制模块选择第一频率和频率乘数，使得第二频率和第一频率的最接近整数倍数之间的差大于预定阈值。结果，可以实现乱真输出的减小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及频率生成技术。
技术介绍
许多装置，例如调谐器，接收器，发射器，上变频器，下变频器等等，要求生成具有精确频率的振荡器信号。合成器(其通常包括压控振荡器(VCO))以期望频率产生输出信号。例如，小数N合成器生成具有某个频率的输出信号，该频率被表达为参考频率的整数数量加上该参考频率的零数。所述参考频率通常由晶体振荡器提供。因此，由于其产生非常精细的频率阶跃的能力，以及获得低相位噪声性能的能力，小数N合成器被经常采用。但是，在某些条件下(例如当VCO、晶体振荡器参考和其他逻辑在单个管芯上实现时)，不需要的交互会在偏离期望频率的偏移频率导致毛刺(spur)。这个偏移频率通常是VCO频率和晶体振荡器参考频率的最接近谐波之间的差。这些毛刺对于整数N合成器不是问题，因为它们将与期望频率对齐。但是，在小数N合成器中，VCO频率会在偏离晶体振荡器频率的谐波的小偏移处。通常，这些毛刺的水平随着偏移频率增加，以每倍频程6dB减小。因此，在典型的系统中，一旦偏移超过特定阈值(例如，50kHz)，这些毛刺将充分地衰减。但是，如果要求的合成频率接近晶体振荡器频率的谐波，则毛刺可导致例如干扰和性能下降的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种设备，包括：振荡器模块，产生振荡器信号，所述振荡器信号具有第一频率；合成器模块，从所述振荡器信号产生输出信号，所述输出信号具有第二频率，其中频率乘数对应于所述第一和第二频率；以及控制模块，选择所述第一频率并选择所述频率乘数，使得所述第二频率和所述第一频率的最接近整数倍数之间的差大于预定阈值。本专利技术还提供一种方法，包括：基于指定的频率，选择参考频率和频率乘数；生成在所述参考频率的第一信号；以及从所述第一信号生成第二信号，所述第二信号在所指定的频率，其中所指定的频率等于所述频率乘数乘以所述参考频率；其中选择所述频率乘数包括选择所述频率乘数以具有大于预定阈值的非整数部分。本专利技术还提供一种系统，包括：下变频器，基于调谐信号对RF信号进行下变频；以及调谐模块，提供所述调谐信号；其中所述调谐模块包括：振荡器模块，产生振荡器信号，所述振荡器信号具有第一频率；合成器模块，从所述振荡器信号产生所述调谐信号，所述调谐信号具有第二频率，其中频率乘数对应于所述第一和第二频率；以及控制模块，选择所述第一频率并选择所述频率乘数，使得所述第二频率和所述第一频率的最接近整数倍数之间的差大于预定阈值。附图说明在附图中，相同的引用数字一般指示相同的、功能相似的、和/或结构相似的元-->件。其中元件首次出现的附图由引用数字中最左边的数字来指示。本专利技术将参考附图进行描述，其中：图1是示范性设备的示意图；图2是示范性振荡器模块实现的示意图；图3是示范性合成器模块实现的示意图；图4是示范性控制模块的示意图；图5是示范性逻辑流程的示意图；图6是示范性系统的示意图。具体实施方式实施例提供用于特定频率处信号的生成的技术。例如，实施例提供用于在合成器中减小不需要的乱真输出。这可以通过以下先验知识而获得：即频率乘数值和第一频率值(例如，晶体振荡器频率)的哪些组合获得具有减小的乱真输出的期望输出频率。因此，实施例可有利地允许获得较好性能(例如，减小的乱真输出)的不那么复杂的合成器实现。作为一个示例，设备可以包括振荡器模块、合成器模块、和控制模块。振荡器模块产生具有第一频率的振荡器信号。合成器模块从该振荡器信号产生具有第二频率的输出信号。频率乘数与第一频率和第二频率对应。控制模块选择第一频率和频率乘数以便第二频率和第一频率的最接近整数倍数之间的差比预定阈值大。但是，实施例不限于这个示范性设备。贯穿本说明书对“一个实施例”或“实施例”的引用表示结合该实施例描述的特定特征、结构或者特性包括在本专利技术的至少一个实施例中。因此，贯穿本说明书各个地方中的短语“在一个实施例中”或者“在实施例中”的出现不一定都指同一个实施例。此外，在一个或多个实施例中，可以以任何合适的方式将特定特征、结构或者特性加以组合。图1是设备100的示意图，其中可采用各种的频率生成技术。如图1所示，设备100包括振荡器模块102、合成器模块104、和控制模块106。这些元件可以在硬件、软件、或者它们的任何组合中实现。图1显示振荡器模块102包括修整模块(trimming module)108和振荡器电路110。振荡器电路110生成振荡器信号120。在实施例中，振荡器信号120具有基于振荡器电路110的特性以及基于修整模块108的设置的频率。图1显示这些设置以修整指示128的形式从控制模块106接收。下面将参考图2提供有关振荡器模块102的实现的进一步细节。如图1中所示，振荡器信号120被发送至合成器模块104。接着，合成器模块104以期望频率生成输出信号122。这个期望频率(也称为输出频率)由振荡器信号120的频率(也称为参考频率)和合成器模块104从控制模块106接收的控制指示126来确定。在实施例中，振荡器信号120的频率可以在1MHz到40MHz的范围内。而且，输出信号122的频率可以在2GHz到8GHz的范围内。但是，实施例不限于这些频率范围。合成器模块104可提供小数N合成特征。这些特征提供使输出信号122的频率成为参考频率的整数倍数加上参考频率的零数。这个关系在等式(1)中表达如下。-->f2=(N+kM)×f1---(1)]]>在等式(1)中，f1表示参考频率且f2表示输出频率。N、k、和M是整数。更具体来说，N表示f1的整数倍数，而k/M表示f1的零数。此外，M表示由合成器模块104提供的小数化(fractionality)的量。图1显示控制模块106接收频率指示124，其指定输出信号122的期望频率。基于这个指示，控制模块106生成控制指示126(其被发送至合成器模块104)和修整指示128(其被发送至振荡器模块102中的修整模块108)。控制指示126为合成器模块104提供比率(例如，非整数，小数N比率)。在实施例中，控制指示126可实现为包含多个位的数字字。但是，也可采用其他实现方式。修整模块128“修整”或者使得振荡器电路110的调谐被修改。例如，修整指示128可包括多个控制信号。这些控制信号的每个可将一个或多个元件(例如，一个或多个电容器)耦合到振荡器电路110中。这种耦合可通过开关元件来提供，例如晶体管。但是，可备选地采用其他开关元件(例如，机械的和/或电子的)。备选地或者附加地，修整指示128可以调节修整模块108内的可变电抗或者电抗负载以调谐振荡器电路110在一般操作中，控制模块106接收频率指示124。基于这个指示，控制模块106生成控制指示126和修整指示128。例如，控制模块106可选择指示126和128以便输出频率(即输出信号122的频率)和参考频率(即振荡器信号120的频率)的最接近整数倍数之间的差大于预定阈值。因此，实施例可有利地控制与输出频率的毛刺的偏移。现在提供涉及20Mhz的参考频率和799.99MHz的期望输出信号频率的示例。这个布置需要39.9995的频率乘数。而且，利用此布置，期望频率与参考频率的40次谐波偏移了10kHz。通过以1.5kHz修整参考频率到19.9985MHz，它的40次谐波变成799本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种设备，包括：振荡器模块，产生振荡器信号，所述振荡器信号具有第一频率；合成器模块，从所述振荡器信号产生输出信号，所述输出信号具有第二频率，其中频率乘数对应于所述第一和第二频率；以及控制模块，选择所述第一频率并选择所述频率乘数，使得所述第二频率和所述第一频率的最接近整数倍数之间的差大于预定阈值。

【技术特征摘要】
US 2008-9-30 12/2863391.一种设备，包括：振荡器模块，产生振荡器信号，所述振荡器信号具有第一频率；合成器模块，从所述振荡器信号产生输出信号，所述输出信号具有第二频率，其中频率乘数对应于所述第一和第二频率；以及控制模块，选择所述第一频率并选择所述频率乘数，使得所述第二频率和所述第一频率的最接近整数倍数之间的差大于预定阈值。2.如权利要求1所述的设备，其中所述控制模块将接收所述第二频率的指示。3.如权利要求1所述的设备，其中所述控制模块将确定修整设置，所述修整设置确立所述第一频率。4.如权利要求3所述的设备，还包括存储多个修整设置的存储介质，所述修整设置的每个对应于第二频率值。5.如权利要求1所述的设备，其中所述频率乘数是小数N乘数。6.如权利要求1所述的设备，其中所述振荡器模块包括振荡器电路和一个或多个电抗元件；以及其中所述控制模块将基于所选择的第一频率选择性地将所述电抗元件的一个或多个耦合到所述振荡器电路。7.如权利要求6所述的设备，其中所述一个或多个电抗元件包括具有可变电抗的电抗元件。8.如权利要求1所述的设备，其中所述振荡器模块包括晶体振荡器电路、陶瓷谐振器、或微机械(MEM)元件中的至少一个。9.如权利要求1所述的设备，其中所述合成器模块包括锁相环(PLL)。10.如权利要求1所述的设备，其中所述控制模块将根据所述频率乘数来调节所述PLL。11.一种方法，包括：基于指定的频率，选择参考频率和频率乘数；生成在所述参考频率的第一信号；以及从所述第一信号生成第二信号...

【专利技术属性】
技术研发人员：CL佩里，AJ马丁，RJ萨尔特，
申请(专利权)人：英特尔公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]