一种基于负载电流反馈的HyS多驱动参数自主调控驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种基于负载电流反馈的HyS多驱动参数自主调控驱动电路，包括：负载电流判断电路根据电压采样信号生成控制驱动电压切换的三极管开关信号V<subgt;T_IGBT</subgt;和V<subgt;T_MOS</subgt;；PWM延时电路生成PWM1信号和PWM2信号；开关时序切换电路根据V<subgt;T_IGBT</subgt;的值分别从PWM1信号和PWM2信号中选择一种控制信号作为IGBT的时序控制信号V<subgt;PWM_MOS</subgt;和SiC MOSFET的时序控制信号V<subgt;PWM_IGBT</subgt;；驱动电压切换电路根据V<subgt;T_IGBT</subgt;和V<subgt;T_MOS</subgt;获取驱动电压V<subgt;g_IGBT</subgt;和V<subgt;g_MOS</subgt;输出至HyS，并通过V<subgt;PWM_MOS</subgt;和V<subgt;PWM_IGBT</subgt;控制HyS的开关时序。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体涉及一种基于负载电流反馈的hys多驱动参数自主调控驱动电路。

技术介绍

1、近些年来，宽禁带半导体器件sic mosfet由于其高开关频率、低开关损耗以及耐高温等特性，而被广泛应用于电力电子装置中。但由于sic制造工艺的限制，sic mosfet目前依旧存在高劣品率、高成本等劣势。常规的si igbt虽然具有低导通损耗、低成本等优势，但其高开关损耗的劣势限制了其在高效、高功率密度等领域的应用。基于此，为结合sicmosfet和si igbt的优势，由小电流等级sic mosfet和大电流等级si igbt并联组成的sic/si混合器件(sic/si hys)被提出来，sic/si hys可以通过内部器件的异步开关，使其具有高效、低成本等优势，近些年来成为国内外学者的研究热点。

2、不同于单一器件，hys由于其内部器件异步开关的特性，导致hys损耗、可靠性等性能也必然受到内部器件的开关时刻(开关时序)、驱动电压等多因素的影响。但是目前hys的研究仅仅关注于开关时序这一单一驱动参数。有文献中提出了一种基于负载电流动态调节固本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于负载电流反馈的HyS多驱动参数自主调控驱动电路，与混合器件HyS相连，HyS包括IGBT和SiC MOSFET，其特征在于，包括：负载电流判断电路、PWM延时电路、开关时序切换电路和驱动电压切换电路；

2.根据权利要求1所述的一种基于负载电流反馈的HyS多驱动参数自主调控驱动电路，其特征在于，I1通过+20V/-5V驱动电压下SiC/Si HyS混合开关下SiC MOSFET的过冲电流峰值与最大脉冲电流计算所得，I2通过+15V/-5V驱动电压下SiC/Si HyS混合开关下SiCMOSFET的过冲电流峰值与最大脉冲电流计算所得。

3.根据权利要求1所...

【技术特征摘要】

1.一种基于负载电流反馈的hys多驱动参数自主调控驱动电路，与混合器件hys相连，hys包括igbt和sic mosfet，其特征在于，包括：负载电流判断电路、pwm延时电路、开关时序切换电路和驱动电压切换电路；

2.根据权利要求1所述的一种基于负载电流反馈的hys多驱动参数自主调控驱动电路，其特征在于，i1通过+20v/-5v驱动电压下sic/si hys混合开关下sic mosfet的过冲电流峰值与最大脉冲电流计算所得，i2通过+15v/-5v驱动电压下sic/si hys混合开关下sicmosfet的过冲电流峰值与最大脉冲电流计算所得。

3.根据权利要求1所述的一种基于负载电流反馈的hys多驱动参数自主调控驱动电路，其特征在于，负载电流判断电路包括负载电流采样单元、负载电流比较单元和开关信号生成单元；

4.根据权利要求1所述的一种基于负载电流反馈的hys多驱动参数自主调控驱动电路，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭祺，肖凡，涂春鸣，肖标，龙柳，
申请(专利权)人：湖南大学，
类型：发明
国别省市：