【技术实现步骤摘要】
本技术主要涉及芯片，具体涉及一种带测高标记部的基板及基板对贴测高装置。
技术介绍
1、目前的led芯片在制备和研究过程中，涉及cow(chip on wafer)临时载板贴合样品、bqd(backlight-qd color filter-display)对贴样本等操作，需要精准测量对贴后的高度参数进行工艺效果的评估，现有的测高装置一般通过激光显微镜进行非接触式的高度测量，由于目前的芯片载板一般为玻璃或石英材料，通过激光测高时，激光光路容易出现透过载板材质，导致测试数据不准确。
技术实现思路
1、本技术的目的在于克服现有技术的不足，本技术提供了一种带测高标记部的基板及基板对贴测高装置，通过在基板上设置测高标记部，避免激光直接透过基板材质，从而提高激光测距的准确性。
2、本技术提供了一种带测高标记部的基板，所述基板的顶面或所述基板的底面设置有若干个测高标记部；
3、所述若干个测高标记部沿圆周方向均匀排布在所述基板的边缘部分；
4、所述基板上任一侧边边缘部分...
【技术保护点】
1.一种带测高标记部的基板，其特征在于，所述基板的顶面或所述基板的底面设置有若干个测高标记部；
2.如权利要求1所述的带测高标记部的基板，其特征在于，所述测高标记部位于所述基板侧边的中部位置。
3.如权利要求1所述的带测高标记部的基板，其特征在于，所述测高标记部呈环形排布覆盖在所述基板的边缘部分。
4.如权利要求1所述的带测高标记部的基板，其特征在于，多个所述测高标记部等距排布在所述基板的侧边。
5.如权利要求1所述的带测高标记部的基板，其特征在于，所述测高标记部的厚度为h，所述h的取值范围为：h＞10nm。
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