一种多价态共掺杂高介电二氧化钛陶瓷材料及其制备方法和应用技术

本发明专利技术涉及一种多价态共掺杂二氧化钛陶瓷的制备方法及应用。该材料化学式如下(A<subgt;x</subgt;B<subgt;1‑x</subgt;)<subgt;y</subgt;Ti<subgt;1‑y</subgt;O<subgt;2</subgt;(当A为+3价元素时，x＝0.5；当A为<subgt;+2</subgt;价元素时，x＝1/3；当A为+1价元素时，x＝1/4)。本发明专利技术的陶瓷材料具有制备过程简单、易实现、成本低、相对介电常数大、介电损耗低的优良介电性能的复合材料。适用于电容器、谐振器、滤波器和存储器等电子产品等高性能化和微型化要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多价态共掺杂高介电陶瓷材料及其制备方法和应用，具体涉及到具有高介电常数的多价态共掺杂高介电二氧化钛陶瓷材料及其制备方法在电子产品方面的应用，属于介电陶瓷材料。

技术介绍

1、纵观电容器发展史，无机陶瓷处于至关重要的地位，从最初介电常数只有2～3的的云母和玻璃，发展到介电常数为100左右的二氧化钛(tio2)，再发展如今到具有高介电常数(>1000)的钛酸钡(batio3)等陶瓷材料，甚至具有巨介电常数的钛酸铜钙(ccto)、共掺杂二氧化钛,等介电陶瓷材料，陶瓷材料的介电性能逐渐得到了优化。但是无机陶瓷的应用需要进行烧结，其陶瓷致密性对介电性能影响很大，同时陶瓷本身的脆性限制了其发展。batio3,被誉为电子产业的支柱，在电介质领域中应用最为广泛，具有自发极化现象和较好的介电性能，其介电常数为1700～3000，介电损耗为0.01～0.2，随频率变化浮动较大。

2、共掺杂tio2属于巨介电常数材料，其研究历史较短，在2013年首次报道了具有优异的介电性能的in+nb共掺杂tio2，具有电常数高，介电损耗低的特点，并且其介电本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种多价态共掺杂高介电二氧化钛陶瓷材料，其特征在于，化学式如下：(AxB1-x)yTi1-yO2其中，当A为+3价元素时，x＝0.5；当A为+2价元素时，x＝1/3；当A为+1价元素时，x＝1/4。

2.如权利要求1所诉的多价态共掺杂高介电二氧化钛陶瓷材料，其特征在于x＝0.01-0.1。

3.如权利要求1所诉的多价态共掺杂高介电二氧化钛陶瓷材料，其特征在于A为Eu、Mg、Li等+3、+2、+1价元素中的一种或一种以上元素的组和。

4.如权利要求1所诉的多价态共掺杂高介电二氧化钛陶瓷材料，其特征在于B为Nb、Ta、V之一或两种一种以上元素的组和。<...

【技术特征摘要】

1.一种多价态共掺杂高介电二氧化钛陶瓷材料，其特征在于，化学式如下：(axb1-x)yti1-yo2其中，当a为+3价元素时，x＝0.5；当a为+2价元素时，x＝1/3；当a为+1价元素时，x＝1/4。

2.如权利要求1所诉的多价态共掺杂高介电二氧化钛陶瓷材料，其特征在于x＝0.01-0.1。

3.如权利要求1所诉的多价态共掺杂高介电二氧化钛陶瓷材料，其特征在于a为eu、mg、li等+3、+2、+1价元素中的一种或一种以上元素的组和。

4.如权利要求1所诉的多价态共掺杂高介电二氧化钛陶瓷材料，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈广新，谭龙，李齐方，周政，
申请(专利权)人：北京化工大学，
类型：发明
国别省市：