一种钙钛矿量子点及其制备方法与应用技术

技术编号：42053721 阅读：57 留言：0更新日期：2024-07-16 23:33

本发明专利技术涉及光电材料与器件领域，具体涉及一种钙钛矿量子点及其制备方法与应用。本发明专利技术采用一种含有膦酸基团的配体作添加剂组分，在热注入法合成中参与铯源和铅源反应，经过离心纯化得到钙钛矿量子点溶液。一方面可以利用膦酸配体稳固锚定在钙钛矿量子点表面，减少量子点表面配体脱落，有效降低表面缺陷密度，构造规则的晶体表面；另一方面，引入强结合力的膦酸配体结合到量子点表面，抑制量子点尺寸生长，增强量子效应，有效改善钙钛矿量子点之间耦合，以获得便于电荷传输的钙钛矿量子点表面环境，实现制备性能优异的钙钛矿量子点基发光二极管。

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【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电材料与器件领域，具体涉及一种钙钛矿量子点及其制备方法与应用。

技术介绍

1、近年来金属卤化物钙钛矿材料基于其简单、低成本的溶液制备工艺，具有高光致发光量子产率、禁带宽度可调、缺陷容忍度高、优异的载流子迁移率和高吸收系数等优异的光电性能，有望作为一种新型发光层材料应用于下一代高性能电致发光二极管器件。从2015年首次制备cspbx3纳米晶体，并成功构建红光、蓝光和绿光量子点发光二极管至今，钙钛矿量子点(perovskite quantum dots，pqds)发光二极管的外量子效率(externalquantum efficiency,eqe)被不断地刷新，使用这种新型发光材料的器件效率就已经接近了上一代oled器件的上限值25％，在光电材料及其器件应用方面具有广泛前景。由于钙钛矿量子点的突出优点使其备受关注，近年来研究人员在钙钛矿量子点基发光二极管(pqd-led)的制备改进、表面修复和缺陷消除、成分工程以及器件操作优化方面投入了大量的努力，不同颜色的pqd-led器件的eqe已经实现了显著的增长。在这些显著的进步中，...

【技术保护点】

1.一种钙钛矿量子点的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的钙钛矿量子点的制备方法，其特征在于，所述膦酸配体包括乙烯膦酸、己基膦酸、3-溴丙烷膦酸中的一种或几种；和/或，

3.根据权利要求1或2所述的钙钛矿量子点的制备方法，其特征在于，制备铯前体的反应温度为130-150℃。

4.根据权利要求1-3任一项所述的钙钛矿量子点的制备方法，其特征在于，制备铯前体的方法中，铯源、油酸、十八烯的比例为(0.5-1mmol):(0.5-1.5mL):(8-16mL)，例如0.625mmol:0.875mL:10mL。