【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及数据存储,具体涉及一种垃圾回收缓解读干扰的方法、ssd控制器固件及控制器。
技术介绍
1、由于nand flash的浮栅晶体管(floating-gate mosfet,简称浮栅mosfet或fgmos)结构以及nand flash内部晶体管排列方式,所带来的影响就是:即便不对ssd进行写入,读取操作也会使ssd发生读取干扰错误,而且是读操作次数越多,影响越大。又由于闪存(nand flash)不能覆盖写的特性,当写入一笔新的数据时,不能直接在老地方更改,必须写到一个新的位置,这样就会导致老位置上的数据无效化,这些数据就变为了垃圾数据。垃圾数据会占用闪存空间,当闪存可用空间不够时,把若干个闪存块上的有效数据搬出,写到某个新的闪存块,然后把这些之前的闪存块擦除,得到可用的闪存块,这就gc(garbagecollection,垃圾回收)。
2、传统的固态硬盘中的垃圾回收做法一般是挑选出数据块中有效数据较少的数据块(数据源闪存块),将其数据取出并合并后放至擦除次数较少的可用闪存块中(目标闪存块),然后把老数据块擦除变
...【技术保护点】
1.一种垃圾回收缓解读干扰的方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述读次数RC通过读取RC表获取,所述RC表存入FLASH的方法包括:
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述刷表流程的触发条件由写入量确定,包括:
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述刷表流程的触发条件由读数据量确定,包括:SSD读数据量达到阈值四;其中阈值四为预设定值。
5.根据权利要求3或4所述的方法,其特征在于,所述综合排序依据如下公式确定:
6.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述
...【技术特征摘要】
1.一种垃圾回收缓解读干扰的方法,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述读次数rc通过读取rc表获取,所述rc表存入flash的方法包括:
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述刷表流程的触发条件由写入量确定,包括:
4.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述刷表流程的触发条件由读数据量确定,包括:ssd读数据量达到阈值四;其...
【专利技术属性】
技术研发人员:何刚,
申请(专利权)人:国创芯科技江苏有限公司,
类型:发明
国别省市:
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