【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种图像传感器及其形成方法。
技术介绍
1、图像传感器是利用光电器件的光电转换功能将感光面上的光像转换为与光像成相应比例关系的电信号。具体来说，图像传感器是将接受到的光像，分成许多小单元，将其转换成可用的电信号。
2、对于图像传感器而言，量子效率(quantum efficiency，简称qe)是衡量传感器进行光电转换能力的重要参数，可以精确描述图像传感器的感光能力。图像传感器的量子效率的影响因素包括器件感光表面的状态、表面光的反射、介质层对光的吸收、以及光电器件中吸收光子的结构所处的位置等。由于不同波长的光在器件表面的反射、吸收深度不同，因而，通常针对光电探测场景需要的特定波长范围，对图像传感器进行相应的开发。
3、然而，在现有技术中，图像传感器可探测的波长范围仍然受到较大的限制，且量子效率仍有提升的空间，器件的感光能力仍有待改善。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是，提供一种图像传感器及其形成方法，提高了图像传感器的量子效...
【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述微沟槽的底部表面平行于所述第二面、朝向所述第二面凸起或朝向所述第一面凸起。
3.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，各微沟槽在所述第一衬底表面的投影图形相同或不同；所述微沟槽在所述第一衬底表面的投影图形包括长方形、正方形或环形。
4.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光电掺杂层包括：第二掺杂区以及若干第一掺杂区，各所述第一掺杂区与第二掺杂区相连接，所述第二掺杂区到所述第一面的距离小于所述第一掺杂区到所述第一面的距离；所述第一掺...
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述微沟槽的底部表面平行于所述第二面、朝向所述第二面凸起或朝向所述第一面凸起。
3.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，各微沟槽在所述第一衬底表面的投影图形相同或不同；所述微沟槽在所述第一衬底表面的投影图形包括长方形、正方形或环形。
4.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述光电掺杂层包括：第二掺杂区以及若干第一掺杂区，各所述第一掺杂区与第二掺杂区相连接，所述第二掺杂区到所述第一面的距离小于所述第一掺杂区到所述第一面的距离；所述第一掺杂区在平行于第一衬底表面方向上的尺寸小于或等于第二掺杂区在平行于第一衬底表面方向上的尺寸。
5.如权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，各第一掺杂区在所述第一衬底表面的投影图形相同或不同；所述第一掺杂区在所述第一衬底表面的投影图形包括长方形、正方形或环形。
6.如权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述第一掺杂区远离第二掺杂区的表面为第一掺杂表面；所述第一掺杂表面平行于所述第一面或朝向所述第二面凸起。
7.如权利要求4所述的图像传感器，其特征在于，所述第一掺杂区在所述第一衬底表面的投影图形为第一图形，所述微沟槽在所述第一衬底表面的投影图形为第二图形，所述第一图形和第二图形完全重合、部分重叠或没有交集。
8.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：
9.如权利要求8所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述微沟槽的底部表面平行于所述第二面、朝向所述第二面凸起或朝向所述第一面凸起。
10.如权利要求9所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，形成所述微沟槽的工艺包括各向异性的干法刻蚀工艺；所述干法刻蚀工艺的刻蚀气体包括碳氟混合物。
11.如权利要求10所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，当所述微沟槽的底部表面平行于所述第二面时，所述刻蚀气体中的碳氟比范围为1:1.5～1:2；当所述微沟槽的底部表面朝向所述第二面凸起时，所述刻蚀气体中的碳氟比范围为1:2～1:4；当所述微沟槽的底部表面朝向所述第一面凸起时，所述刻蚀气体中的碳氟比范围为1:1～1:1.5。
12.如权利要求8所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，各微沟槽在所述第一衬底表面的投影图形相同或不同；所述微沟槽在所述第一衬底表面的投影图形包括长方形、正方形或环形。
13.如权利要求8所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述光电掺杂层包括：第二掺...
【专利技术属性】
技术研发人员：阎大勇，高长城，石强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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