太阳能电池及其制作方法以及光伏组件技术

技术编号:42042002 阅读:16 留言:0更新日期:2024-07-16 23:25
本申请涉及一种太阳能电池及其制作方法以及光伏组件。该太阳能电池包括电池主体、钝化减反层和金属电极;所述电池主体包括衬底,所述衬底的相对两侧表面均依次层叠设置有本征非晶硅层、掺杂半导体层和透明导电层;在位于所述衬底的至少一侧的所述透明导电层背离所述衬底的一侧设置有钝化减反层;所述钝化减反层上设置有沿第一方向贯穿的开口;所述金属电极位于所述钝化减反层背离所述衬底的一侧,所述金属电极靠近所述衬底的一端设置于所述开口内且与所述透明导电层电连接;所述第一方向为垂直于所述衬底的方向。如此,能够使太阳能电池兼顾光学和电学性能,降低透明导电层的寄生吸收,提高太阳能电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及光伏电池,特别是涉及太阳能电池及其制作方法以及光伏组件


技术介绍

1、太阳能电池,也称为光伏电池,是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品,不会引起环境污染,而且太阳能是可再生资源,因此,太阳能电池是一种有广阔发展前景的新型电池。

2、异质结电池具有结构简单、工艺温度低、钝化效果好、开路电压高、温度特性好、双面发电等优点,是高转换效率硅基太阳能电池的热点方向之一。

3、相关技术中,异质结电池中的透明导电层存在较为严重的寄生吸收,造成异质结电池的光学吸收的损失,限制异质结电池的转换效率的提高。


技术实现思路

1、基于此,本申请提供一种太阳能电池及其制备方法以及光伏组件,以提高太阳能电池的转换效率。

2、本申请第一方面的实施例提供了一种太阳能电池,包括电池主体、钝化减反层和金属电极;

3、所述电池主体包括衬底,所述衬底的相对两侧表面均依次层叠设置有本征非晶硅层、掺杂半导体层和透明导电层;

4、在位于所述衬底的至少一侧本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种太阳能电池,其特征在于,包括电池主体、钝化减反层和金属电极;

2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,金属电极在所述衬底上的正投影位于所述开口在所述衬底的正投影范围内。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述开口沿第二方向的尺寸与所述金属电极沿第二方向的尺寸差值在0~50um;所述第二方向垂直于所述第一方向,且垂直于所述金属电极的延伸方向。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述透明导电层包括无铟透明导电层和含铟透明导电层中至少一种。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述透明导电层...

【技术特征摘要】

1.一种太阳能电池,其特征在于,包括电池主体、钝化减反层和金属电极;

2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,金属电极在所述衬底上的正投影位于所述开口在所述衬底的正投影范围内。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池,其特征在于,所述开口沿第二方向的尺寸与所述金属电极沿第二方向的尺寸差值在0~50um;所述第二方向垂直于所述第一方向,且垂直于所述金属电极的延伸方向。

4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述透明导电层包括无铟透明导电层和含铟透明导电层中至少一种。

5.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述透明导电层的厚度为30nm~150nm。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池,其特...

【专利技术属性】
技术研发人员:霍亭亭杨广涛李宏伟孟子博殷志豪高展朱坤
申请(专利权)人:天合光能股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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