【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于电子封装，更具体地，涉及一种耐高温高湿的疏水阻隔涂层及其制备方法。
技术介绍
1、电子器件对水蒸气比较敏感，在高温高湿条件下出现性能下降，产品遭到破坏。传统的有机聚合物薄膜，如对苯二甲酸乙二醇酯(pet)或聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)等气体阻隔性能差，无法满足太阳能电池和电子器件等产品的要求。
2、研究发现，通过表面处理法在聚合物薄膜上制备高阻隔涂层能有效提高太阳能电池和电子器件阻隔水蒸气的能力，目前提高聚合物薄膜的阻隔性能的表面处理法主要有真空蒸镀法、磁控溅射法、等离子增强化学气相沉积法、激光化学气相沉积法和原子层沉积法。这些方法通过在聚合物薄膜表面制备无机致密涂层来提高聚合物薄膜阻隔性能，进而提升太阳能电池和电子器件的阻隔性能。然而，这些方法需要的设备价格昂贵、生产成本高和制备效率低。所以需要通过简单的制备工艺在聚合物薄膜上设计出具有耐高温高湿环境的水蒸气阻隔涂层。
3、专利jp5741489b公开了一种在聚合物表面使用聚硅氮烷溶液制备气体阻隔涂层的方法，但阻隔涂层制备过程中加入二氧化硅颗粒，二...
【技术保护点】
1.一种耐高温高湿的疏水阻隔涂层，其特征在于，在基底表面依次为无机涂层和疏水涂层；其中，基底为聚合物薄膜，无机涂层为氧化硅涂层，疏水涂层为巯基-烯涂料紫外固化制得。
2.根据权利要求1所述的一种耐高温高湿的疏水阻隔涂层，其特征在于，疏水阻隔涂层的水接触角为101.6°～107.9°；
3.权利要求1～2任一项所述的一种耐高温高湿的疏水阻隔涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的一种耐高温高湿的疏水阻隔涂层的制备方法，其特征在于，氧化硅涂覆液中各组分的质量百分比为：全氢聚硅氮烷5％～15％，溶剂85％～95...
【技术特征摘要】
1.一种耐高温高湿的疏水阻隔涂层，其特征在于，在基底表面依次为无机涂层和疏水涂层；其中，基底为聚合物薄膜，无机涂层为氧化硅涂层，疏水涂层为巯基-烯涂料紫外固化制得。
2.根据权利要求1所述的一种耐高温高湿的疏水阻隔涂层，其特征在于，疏水阻隔涂层的水接触角为101.6°～107.9°；
3.权利要求1～2任一项所述的一种耐高温高湿的疏水阻隔涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的一种耐高温高湿的疏水阻隔涂层的制备方法，其特征在于，氧化硅涂覆液中各组分的质量百分比为：全氢聚硅氮烷5％～15％，溶剂85％～95％，各组分含量之和为100％；其中全氢聚硅氮烷的结构如下：
5.根据权利要求4所述的一种耐高温高湿的疏水阻隔涂层的制备方法，其特征在于，氧化硅涂覆液中各组分的质量百分比为：全氢聚硅氮烷5％～10％，溶剂95％～100％。
6.根据权利要求3所述的一种耐高温高湿的疏水阻隔涂层的制备方法，其特征在于，步骤1(2)中，固化方式为紫外固化；固化参数为：172nm的真空紫外条件下固化，照射距离为5mm，照射时间为5～20min，氧气浓度为0-0.5％。
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