一种图像传感器及其形成方法，其中，图像传感器包括：第一衬底，所述第一衬底包括相对的第一面和第二面；位于所述第一衬底内的光电掺杂层，所述光电掺杂层的导电类型与所述第一衬底的导电类型相反，所述光电掺杂层包括第二掺杂区以及若干第一掺杂区，各所述第一掺杂区与第二掺杂区相连接，所述第二掺杂区到所述第一面的距离小于所述第一掺杂区到所述第一面的距离，所述第一掺杂区在平行于第一衬底表面方向上的尺寸小于或等于第二掺杂区在平行于第一衬底表面方向上的尺寸。所述图像传感器及其形成方法提高了图像传感器的量子效率，拓宽了图像传感器能够探测到的波段，改善了器件的感光能力。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种图像传感器及其形成方法。
技术介绍
1、图像传感器是利用光电器件的光电转换功能将感光面上的光像转换为与光像成相应比例关系的电信号。具体来说，图像传感器是将接受到的光像，分成许多小单元，将其转换成可用的电信号。
2、对于图像传感器而言，量子效率(quantum efficiency，简称qe)是衡量传感器进行光电转换能力的重要参数，可以精确描述图像传感器的感光能力。图像传感器的量子效率的影响因素包括器件感光表面的状态、表面光的反射、介质层对光的吸收、以及光电器件中吸收光子的结构所处的位置等。由于不同波长的光在器件表面的反射、吸收深度不同，因而，通常针对光电探测场景需要的特定波长范围，对图像传感器进行相应的开发。
3、然而，在现有技术中，图像传感器可探测的波长范围仍然受到较大的限制，且量子效率仍有提升的空间，器件的感光能力仍有待改善。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是，提供一种图像传感器及其形成方法，提高了图像传感器的量子效率，拓宽了图像传感器本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述第一衬底的第二面上的若干微沟槽，所述微沟槽的底部表面平行于所述第二面、朝向所述第二面凸起或朝向所述第一面凸起。
3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，各微沟槽在所述第一衬底表面的投影图形相同或不同；所述微沟槽在所述第一衬底表面的投影图形包括长方形、正方形或环形。
4.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一掺杂区上远离第二掺杂区的表面为第一掺杂表面，所述第一掺杂表面平行于所述第一面或朝向所述第二面凸起。
>5.如权利要求1所...
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，还包括：位于所述第一衬底的第二面上的若干微沟槽，所述微沟槽的底部表面平行于所述第二面、朝向所述第二面凸起或朝向所述第一面凸起。
3.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，各微沟槽在所述第一衬底表面的投影图形相同或不同；所述微沟槽在所述第一衬底表面的投影图形包括长方形、正方形或环形。
4.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，所述第一掺杂区上远离第二掺杂区的表面为第一掺杂表面，所述第一掺杂表面平行于所述第一面或朝向所述第二面凸起。
5.如权利要求1所述的图像传感器，其特征在于，各第一掺杂区在所述第一衬底表面的投影图形相同或不同；所述第一掺杂区在所述第一衬底表面的投影图形包括长方形、正方形或环形。
6.如权利要求2所述的图像传感器，其特征在于，所述第一掺杂区在所述第一衬底表面的投影图形为第一图形，所述微沟槽在所述第一衬底表面的投影图形为第二图形，所述第一图形和第二图形完全重合、部分重叠或没有交集。
7.一种图像传感器的形成方法，其特征在于，包括：
8.如权利要求7所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂区上远离第二掺杂区的表面为第一掺杂表面，所述第一掺杂表面平行于所述第一面或朝向所述第二面凸起。
9.如权利要求8所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，各第一掺杂区在所述第一衬底表面的投影图形相同或不同。
10.如权利要求9所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂区在所述第一衬底表面的投影图形包括长方形；各长方形的长边相互平行或垂直。
11.如权利要求9所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一掺杂区在所述第一衬底表面的投影图形包括正方形或环形。
12.如权利要求8所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述光电掺杂层的形成方法包括：在所述第一衬底的第一面上通过第一离子注入工艺形成第一初始掺杂区；对所述第一初始掺杂区进行退火处理，以形成第一掺杂区；在所述第一衬底的第一面上通过第二离子注入工艺形成第二初始掺杂区；对所述第二初始掺杂区进行退火处理，以形成第二掺杂区；所述第一离子注入工艺的离子注入能量与第二离子注入工艺的离子注入能量不同。
13.如权利要求12所述的图像传感器的形成方法，其特征在于，所述第一离子...
【专利技术属性】
技术研发人员：阎大勇，高长城，石强，张伟，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：
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