【技术实现步骤摘要】
本揭露是关于半导体装置。
技术介绍
1、随着半导体行业在追寻较高装置密度、较高效能及较低成本中已进展至纳米技术工艺节点，来自制造及设计问题两者的挑战已导致诸如多栅极场效晶体管(field effecttransistor，fet)的三维设计的开发，多栅极场效晶体管包括鳍片fet(fin fet，finfet)及全环绕栅极(gate-all-around，gaa)fet。在finfet中，栅极电极相邻于通道区的三侧表面，其中栅极介电层插入于三侧表面之间。finfet的栅极电极包括由栅极替换技术形成的一或多个金属材料层。
技术实现思路
1、根据本揭露的一个态样，半导体装置包含n型源极/漏极磊晶层、p型源极/漏极磊晶层以及介电层。介电层在该n型源极/漏极磊晶层及该p型源极/漏极磊晶层上方。该介电层未覆盖该n型源极/漏极磊晶层的一部分及该p型源极/漏极磊晶层的一部分。该n型源极/漏极磊晶层的该部分的一上表面的高度不同于该p型源极/漏极磊晶层的该部分的一上表面的高度。
2、根据本揭露的另...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该n型源极/漏极磊晶层的该部分的该上表面低于该p型源极/漏极磊晶层的该部分的该上表面。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，其中该n型源极/漏极磊晶层的该部分的该上表面与该p型源极/漏极磊晶层的该部分的该上表面之间的一高度差在自1nm至15nm的范围内。
4.如权利要求1至3任一者所述的半导体装置，其特征在于，进一步包含：
5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，进一步包含：
6.一种半导体装置，其特征在
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包含：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该n型源极/漏极磊晶层的该部分的该上表面低于该p型源极/漏极磊晶层的该部分的该上表面。
3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，其中该n型源极/漏极磊晶层的该部分的该上表面与该p型源极/漏极磊晶层的该部分的该上表面之间的一高度差在自1nm至15nm的范围内。
4.如权利要求1至3任一者所述的半导体装置，其特征在于，进一步包含：
5.如权利要求...
【专利技术属性】
技术研发人员：熊德智，陈筠桦，吴泱澄，傅圣勋，谢文国，丁致远，林焕哲，吴秉宪，邱怡瑄，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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