【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及玻璃基板,具体涉及一种无碱玻璃基板及其制备方法和应用。
技术介绍
1、tft(thin film transistor)是指薄膜场效应晶体管,tft液晶屏幕是指液晶面板上的每一液晶像素点都是由集成在其后的薄膜晶体管来驱动,也就是平板显示领域经常听到的“tft屏幕”。常见的tft驱动分类主要有非晶硅薄膜晶体管(a-si tft)、低温多晶硅薄膜晶体管(ltps tft)、铟镓锌氧化物薄膜晶体管(igzo tft)。利用igzo技术可以使显示屏功耗接近oled,但成本更低,厚度比oled高25%左右,且分辨率可以达到全高清乃至超高清级别程度。
2、igzo tft是最具应用价值的金属氧化物薄膜晶体管,其含有铟、镓和锌的非晶氧化物,载流子迁移率是非晶硅的20~30倍,可以大大提高薄膜晶体管对像素电极的充放电速率以及响应速度,实现更高的刷新率;同时更快的响应速度也大大提高了像素的行扫描速率。另外,igzo显示器具有更高的能效水平,而且效率更高。igzo可以利用现有的非晶硅生产线生产,只需稍加改动,通过低温工艺,可实现高
...【技术保护点】
1.一种制备无碱玻璃基板的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,以玻璃基料的总重量为基准,所述玻璃基料中含有58-65wt%的SiO2、16-21wt%的Al2O3、2-7wt%的B2O3、1-5wt%的MgO、3-6wt%的CaO、0.5-7wt%的SrO、1-7wt%的BaO、0-2wt%的ZnO、0-0.4wt%的SnO2。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述MgO、CaO、SrO、BaO的质量百分含量之和为K,且K满足12wt%≤K≤18wt%;和/或
4.根据权利要求
...【技术特征摘要】
1.一种制备无碱玻璃基板的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,以玻璃基料的总重量为基准,所述玻璃基料中含有58-65wt%的sio2、16-21wt%的al2o3、2-7wt%的b2o3、1-5wt%的mgo、3-6wt%的cao、0.5-7wt%的sro、1-7wt%的bao、0-2wt%的zno、0-0.4wt%的sno2。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述mgo、cao、sro、bao的质量百分含量之和为k,且k满足12wt%≤k≤18wt%;和/或
4.根据权利要求1-3中任意一项所述的方法,其特征在于,在步骤(1)中,所述熔融处理的条件包括:温度为1620-1650℃,时间为8-10h;和/或
5.根据权利要求1-4中任意一...
【专利技术属性】
技术研发人员:李青,李赫然,刘文渊,胡恒广,闫冬成,张广涛,刘泽文,张盼,
申请(专利权)人:河北光兴半导体技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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