【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于吸波材料,具体涉及一种纳米花状杂化物及其制备方法和应用、吸波材料及其制备方法。
技术介绍
1、随着电子设备、通信技术和物联网的蓬勃发展,电磁辐射已成为第四大污染源,不仅会影响精密设备的正常运行、国家信息安全和军事安全,还会对人身健康造成危害。因此,研发具有优秀电磁波吸收能力的材料有着重要意义。
2、三维形态结构的设计在有效改善微波吸收材料的阻抗匹配和电磁波衰减中起着重要作用。目前,已有众多具有特殊结构的微波吸收材料被研发而出。例如cheng等(chengx,zhou x,wang s,et al.fabrication ofnio/nico2o4mixtures as excellentmicrowaveabsorbers[j].nanoscale research letters,2019,14(1))合成了具有独特蛋黄壳结构的混合物用于电磁波吸收;liu等(liu zh,cui yh,li q,zhang qy,zhangbl.fabrication of folded mxene/mos2composit
...【技术保护点】
1.一种纳米花状杂化物,其特征在于,包括花状还原氧化石墨烯载体,负载在所述花状还原氧化石墨烯载体上的M(OH)(OCH3),以及掺杂在所述花状还原氧化石墨烯载体上的含铁材料和羟基锡酸镍,其中M为Co和Ni;
2.根据权利要求1所述的纳米花状杂化物,其特征在于,所述M(OH)(OCH3)的负载质量百分含量为40~50%;
3.权利要求1或2所述纳米花状杂化物的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述可溶性钴源包括四水合乙酸钴、六水合硝酸钴和七水合硫酸钴中的一种或几种;所述可溶性镍源包括四
...【技术特征摘要】
1.一种纳米花状杂化物,其特征在于,包括花状还原氧化石墨烯载体,负载在所述花状还原氧化石墨烯载体上的m(oh)(och3),以及掺杂在所述花状还原氧化石墨烯载体上的含铁材料和羟基锡酸镍,其中m为co和ni;
2.根据权利要求1所述的纳米花状杂化物,其特征在于,所述m(oh)(och3)的负载质量百分含量为40~50%;
3.权利要求1或2所述纳米花状杂化物的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述可溶性钴源包括四水合乙酸钴、六水合硝酸钴和七水合硫酸钴中的一种或几种;所述可溶性镍源包括四水合乙酸镍、六水合硝酸镍和七水合硫酸镍中的一种或几种;
5.根据权利要求3所述的制备方法,其...
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