Fe5GeTe2材料的应用、磁阻角度传感器及其应用制造技术

本发明专利技术提供了一种Fe<subgt;5</subgt;GeTe<subgt;2</subgt;材料的应用、磁阻角度传感器及其应用。本申请提供了一种Fe<subgt;5</subgt;GeTe<subgt;2</subgt;材料在磁阻角度传感器中的应用，所述磁阻角度传感器中磁阻片的材料为Fe<subgt;5</subgt;GeTe<subgt;2</subgt;层状材料，所述Fe<subgt;5</subgt;GeTe<subgt;2</subgt;层状材料的平均厚度为17nm～188nm。其在一定温度和磁场强度的条件下，随着Fe<subgt;5</subgt;GeTe<subgt;2</subgt;材料所在平面与磁场方向二者之间夹角的变化，Fe<subgt;5</subgt;GeTe<subgt;2</subgt;材料的纵向电阻和霍尔电阻会产生明显变化，基于此，Fe<subgt;5</subgt;GeTe<subgt;2</subgt;材料可应用于磁阻角度传感器，角度检测范围最高可达360度。采用上述磁阻片的磁阻角度传感器具有反应灵敏，分辨率高，检测范围广，适用面宽，结构微小的特性，扩大了Fe<subgt;5</subgt;GeTe<subgt;2</subgt;材料的应用范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及二维磁性材料领域，尤其涉及fe5gete2材料的应用、磁阻角度传感器及其应用。

技术介绍

1、fe5gete2是一种二维(2d)范德华(vdw)材料，其具有高达310k的居里温度，并且其磁化强度和反常霍尔效应均随温度的降低而呈现非单调变化的性能，因此，目前对其研究主要集中在磁学性质方面，目前，fe5gete2材料的其中一个应用是利用其非线性霍尔效应制备非线性霍尔器件，在一定程度上限制了其应用范围。

技术实现思路

1、本专利技术的主要目的是提供一种fe5gete2材料的应用、磁阻角度传感器及其应用，以解决fe5gete2应用受限的技术问题。

2、为实现上述目的，本申请提供了一种fe5gete2材料在磁阻角度传感器中的应用，所述磁阻角度传感器包括传感单元，所述传感单元中磁阻片的材料为fe5gete2层状材料，所述fe5gete2层状材料的平均厚度为17nm～188nm。。

3、根据本申请的实施方式，所述fe5gete2层状材料的平均厚度为17nm～44nm。

4、本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.Fe5GeTe2材料在磁阻角度传感器中的应用，其特征在于，所述磁阻角度传感器包括传感单元，所述传感单元中磁阻片的材料为Fe5GeTe2层状材料，所述Fe5GeTe2层状材料的平均厚度为17nm～188nm。

2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述Fe5GeTe2层状材料的平均厚度为17nm～44nm。

3.一种磁阻角度传感器，其特征在于，所述磁阻角度传感器包括至少一个传感单元，所述传感单元中磁阻片的材料为Fe5GeTe2层状材料，所述Fe5GeTe2层状材料的平均厚度为17nm～188nm。

4.根据权利要求3所述的磁阻角度传感器，其特征在...

【技术特征摘要】

1.fe5gete2材料在磁阻角度传感器中的应用，其特征在于，所述磁阻角度传感器包括传感单元，所述传感单元中磁阻片的材料为fe5gete2层状材料，所述fe5gete2层状材料的平均厚度为17nm～188nm。

2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，所述fe5gete2层状材料的平均厚度为17nm～44nm。

3.一种磁阻角度传感器，其特征在于，所述磁阻角度传感器包括至少一个传感单元，所述传感单元中磁阻片的材料为fe5gete2层状材料，所述fe5gete2层状材料的平均厚度为17nm～188nm。

4.根据权利要求3所述的磁阻角度传感器，其特征在于，所述传感单元的数量为1个，所述传感单元包括均与所述磁阻片电性连接的工作电路和信号处理电路，所述信号处理电路用于测量所述磁阻片的纵向电阻；所述纵向电阻为所述工作电路在与所述磁阻片上的两个接入点之间的电阻。

5....

【专利技术属性】
技术研发人员：丁金民，郭光华，罗紫彦，
申请(专利权)人：中南大学，
类型：发明
国别省市：