一种金刚石SGT器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种金刚石SGT器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括漏极金属，所述漏极金属的上方设置有n型衬底、n型漂移层以及栅极介质，所述栅极介质内部的下方设置有屏蔽栅，所述栅极介质内部的上方设置有栅极金属；所述n型漂移层的上方还设置有n+均流层，所述n+均流层的上方设置有p+阱区，所述p+阱区的上方设置有n+源区，所述n+源区的上方设置有源极金属。通过设置较深的p+阱区和栅极金属之间的优化布局，有效防止了栅极介质的击穿，提高了栅极的可靠性；此外，通过增加p+阱区的掺杂浓度与n+均流层的设计，不仅减少了制备流程，还优化了电子的分布和流动，降低了栅电荷和导通电阻，提高了器件的整体性能和效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体为一种金刚石sgt器件及其制备方法。

技术介绍

1、金刚石作为超宽禁带半导体器件的代表之一，禁带宽度约5.5ev，临界击穿场强高达10mv/cm，电子饱和速度为3×107cm/s，但是由于工艺发展阶段问题，其厚外延和深刻蚀工艺还不成熟，器件结构发展还有空间。

2、为了解决上述问题，我们提出了一种新的sgt器件结构，实现了器件结构工艺简单和低损耗特点的兼具，并通过采用分布外延和离子注入结合的方式，实现了sgt结构的制备。

技术实现思路

1、针对现有技术的不足，本专利技术提供了一种金刚石sgt器件及其制备方法，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。

2、为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：一种金刚石sgt器件，包括漏极金属，所述漏极金属位于该器件的最底端，所述漏极金属的上方设置有n型衬底，所述n型衬底的上方设置有n型漂移层，所述n型漂移层的上方设置有栅极介质，所述栅极介质内部的下方设置有屏蔽栅，所述栅极介质内部的上方设置有栅极金属；

<p>3、所述n型漂移本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种金刚石SGT器件，其特征在于，包括漏极金属，所述漏极金属位于该器件的最底端，所述漏极金属的上方设置有n型衬底，所述n型衬底的上方设置有n型漂移层，所述n型漂移层的上方设置有栅极介质，所述栅极介质内部的下方设置有屏蔽栅，所述栅极介质内部的上方设置有栅极金属；

2.根据权利要求1所述的一种金刚石SGT器件，其特征在于，所述n型衬底的厚度为1μm，所述n型衬底的掺杂浓度为5×1018cm-3，所述n型漂移层的厚度为5-8μm，所述n型漂移层的掺杂浓度为1×1017cm-3~5×1017cm-3，所述栅极介质为二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的一种金刚石SGT器...

【技术特征摘要】

1.一种金刚石sgt器件，其特征在于，包括漏极金属，所述漏极金属位于该器件的最底端，所述漏极金属的上方设置有n型衬底，所述n型衬底的上方设置有n型漂移层，所述n型漂移层的上方设置有栅极介质，所述栅极介质内部的下方设置有屏蔽栅，所述栅极介质内部的上方设置有栅极金属；

2.根据权利要求1所述的一种金刚石sgt器件，其特征在于，所述n型衬底的厚度为1μm，所述n型衬底的掺杂浓度为5×1018cm-3，所述n型漂移层的厚度为5-8μm，所述n型漂移层的掺杂浓度为1×1017cm-3~5×1017cm-3，所述栅极介质为二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的一种金刚石sgt器件，其特征在于，所述屏蔽栅的底部到栅极介质底部的厚度为500nm，所述屏蔽栅最右侧到栅极介质最右侧的距离为200-300nm，所述屏蔽栅最左侧到栅极介质最左侧的距离为200-300nm，所述屏蔽栅的厚度为300nm。

4.根据权利要求1所述的一种金刚石sgt器件，其特征在于，所述n+源区的厚度为300nm，所述栅极金属的厚度为200nm，所述屏蔽栅的顶部到栅极金属的底部的厚度为300nm，所述栅极金属的厚度为500nm。

5.根据权利要求1所述的一种金刚石sgt器件，其特征在于，所述p+阱区的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王刚，李成兵，
申请(专利权)人：深圳市港祥辉电子有限公司，
类型：发明
国别省市：