用于非常大面积基片的真空处理室制造技术

根据本发明专利技术的大尺寸基片ＰＥＣＶ０处理的等离子体反应器，包括作为外室的真空处理室和带有电极喷头作为ＲＦ天线的至少一个内部反应器，所述内部反应器还包括反应器底部和反应器顶部，由此加强件支撑反应器顶部和／或反应器底部，加强件经由补偿隔件（４）连接到反应器顶部（２）和／或反应器底部（６），补偿隔件（４）的厚度选择为补偿在运行期间的热膨胀。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于非常大面积基片的真空处理装置，尤其是带有平面偏差补偿机构 的PECVD处理室(相应地为内部反应器)。
技术介绍
本专利技术大体涉及大面积PECVD处理室并特别涉及这种自身再次封闭在第二环绕 真空室内的室。此"盒中盒"(Plasma Box )现有技术已知，并在美国专利No. 4， 798， 739中 作了介绍。此"盒中盒"的主要优点是可保持在外部气密室内比在内部反应器室内更低的压 力，使得控制气流可保持从内室到外室("差分泵送")。此"盒中盒"系统的进一步优点是 内部室可保持在恒定的处理温度，一般大约250-35(TC (等温的反应器)。因此通过恒定地 保持在处理温度，此内部反应器允许一致的温度分布并因此允许一致的整体沉积速率。但 随着越来越大基片(超过2mX2m)的出现，越来越难以保持内部反应器基本上平坦，并因此 难以保持内部反应器能够符合所要求的生产规格以及装载和卸载基片。 由于包含在PECVD中的化学试剂的活性，因此铝合金是经济材料的选择铝是能 够抵抗PECVD过程化学试剂腐蚀的多个已知材料中一种，化学试剂例如含氟气体和物质。 但不幸的是，铝合金趋于在升高本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于大尺寸基片处理的等离子体增强化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）的等离子体反应器，包括作为外室的真空处理室（１９）和带有处理气体供给部（２２）的至少一个内部反应器；以及电连接到作为ＲＦ天线的电极喷头（２５）的ＲＦ供给部（２４），其特征在于，加强件（１）支撑反应器顶部（２）和／或反应器底部（６），所述加强件（１）经由补偿隔件（４）连接到反应器顶部（２）和／或反应器底部（６），补偿隔件（４）的厚度选择为补偿在运行期间的热膨胀。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：P埃恩格，L德劳内伊，S约斯特，M埃亚考比，
申请(专利权)人：OC欧瑞康巴尔斯公司，
类型：发明
国别省市：LI[列支敦士登]