一种基于CMOS工艺的集成突发模式光接收机的接收机结构制造技术

本发明专利技术公开了一种基于CMOS工艺的集成突发模式光接收机的接收机结构，包括突发跨阻放大器TIA与连续限幅放大器LA，突发跨阻放大器TIA为前级突发模式，连续限幅放大器LA为后级连续模式，突发跨阻放大器TIA与连续限幅放大器LA之间连接失调消除网络ROC，失调消除网络ROC包括AC耦合网络和时间常数调整开关Sc，失调消除网络ROC的控制信号包括外界RESET信号，接收机结构的电路采用COMS工艺；本发明专利技术通过无灵敏度损失的快速失调残余电路，一方面连续模式LA本身并不需要计算失调消除时间，降低了系统的突发响应开销，另一方面电路复杂度降低使得低功耗与小面积实现突发模式整体前端成为可能，实现了更好的系统性能与低的系统与芯片成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于集成电路设计，具体涉及一种基于cmos工艺的集成突发模式光接收机的接收机结构。

技术介绍

1、快速的互联网流量增长使光纤接入网络的新一波安装和升级成为可能，其中10gb/s级pon(无源光网络，passive optical network)部署正在稳步升级，以取代传统的gpon(千兆字节pon)。对于大规模的消费市场，系统是否能够低成本实现的特点将是影响其发展的关键。同时，作为高速光通信中成本最敏感的场景，经过二十年的优化，在使用pon收发器的光纤接入网络中，没有太多空间进一步大幅降低成本。在这方面，对于进一步大规模pon的应用，都迫切需要具有更少成本的新结构。

2、大多数规模应用于pon的光接收机前端一般由ac耦合的突发模式tia、突发模式la分立构成。在pon应用场景中，所有前端芯片分别需要具有快速响应失调的能力。同时，在分立场景中，两颗前端芯片需要通过ac耦合网络完成互联。这种互联方式在pon上行接收端应用时，需要将ac耦合共模稳定时间计入系统突发响应时间，带来额外的系统开销。此外，随着10gb/s级pon的大规模部署，系本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于CMOS工艺的集成突发模式光接收机的接收机结构，其特征在于，包括突发跨阻放大器TIA与连续限幅放大器LA，突发跨阻放大器TIA为前级突发模式，连续限幅放大器LA为后级连续模式，突发跨阻放大器TIA与连续限幅放大器LA之间连接失调消除网络ROC，失调消除网络ROC包括AC耦合网络和时间常数调整开关Sc，失调消除网络ROC的控制信号包括外界RESET信号，接收机结构的电路采用COMS工艺。

2.根据权利要求1所述的一种基于CMOS工艺的集成突发模式光接收机的接收机结构，其特征在于，AC耦合网络包括AC耦合电容和偏置电阻，AC耦合电容包括第一耦合电容C1和第二耦合电容C...

【技术特征摘要】

1.一种基于cmos工艺的集成突发模式光接收机的接收机结构，其特征在于，包括突发跨阻放大器tia与连续限幅放大器la，突发跨阻放大器tia为前级突发模式，连续限幅放大器la为后级连续模式，突发跨阻放大器tia与连续限幅放大器la之间连接失调消除网络roc，失调消除网络roc包括ac耦合网络和时间常数调整开关sc，失调消除网络roc的控制信号包括外界reset信号，接收机结构的电路采用coms工艺。

2.根据权利要求1所述的一种基于cmos工艺的集成突发模式光接收机的接收机结构，其特征在于，ac耦合网络包括ac耦合电容和偏置电阻，ac耦合电容包括第一耦合电容c1和第二耦合电容c2，偏置电阻包括第一偏置电阻r1和第二偏置电阻r2；

3.根据权利要求2所述的一种基于cmos工艺的集成突发模式光接收机的接收机结构，其特征在于，第一偏置电阻r1的一端与时间常数调整开关sc的一端连接，时间常数调整开关sc的一端与连续限幅放大器la的第一端连接；

4.根据权利要求2所述的一种基于cmos工艺的集成突发模式光接收机的接收机结构，其特征在于，第一耦合电容c1和第二耦合电容c2的容值相同，第一偏置电阻r1和第二偏置电阻r2的阻值相同。

5.根据权利要求1所述的一种基于cmos工艺的集成突发模式光接收机的接收机结构，其特征在于，突发跨...

【专利技术属性】
技术研发人员：李丹，夏翼飞，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：