结势垒肖特基二极管制造技术

本发明专利技术的目的在于，在使用了氧化镓的结势垒肖特基二极管中，既确保足够的反向耐压又降低导通电阻。结势垒肖特基二极管(1)包括由氧化镓构成的半导体基板(20)、设置在半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)、与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)和与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有埋入有导电类型与阳极电极(40)和漂移层(30)相反的半导体材料(80)的中心沟槽(61)。中心沟槽(61)的底面(32)不与阳极电极(40)相接而与半导体材料(80)相接，中心沟槽(61)的侧面(33)的至少一部分与阳极电极(40)肖特基接触。由此，能够不提高漂移层的杂质浓度而降低导通电阻。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及结势垒肖特基二极管，特别涉及使用了氧化镓的结势垒肖特基二极管。

技术介绍

1、肖特基势垒二极管是利用通过金属与半导体的接合而产生的肖特基势垒的整流元件，与具有pn结的常规二极管相比具有正向电压低且开关速度快这样的特征。因此，肖特基势垒二极管有时用作功率器件用的开关元件。

2、在使用肖特基势垒二极管作为功率器件用的开关元件的情况下，需要确保足够的反向耐压，因此有时会取代硅(si)，使用带隙更大的碳化硅(sic)、氮化镓(gan)、氧化镓(ga2o3)等。其中尤其是氧化镓，带隙为4.8～4.9ev，非常大，绝缘击穿电场也大到约8mv/cm，因此使用氧化镓的肖特基势垒二极管作为功率器件用的开关元件非常有希望。使用氧化镓的肖特基势垒二极管的例子在专利文献1有记载。

3、在专利文献1中，公开有具有利用p型的半导体材料填埋设置在氧化镓层的多个沟槽的构造的结势垒肖特基二极管。这样，只要在氧化镓层设置多个沟槽并且利用p型的半导体材料填埋多个沟槽，在施加反向电压时位于沟槽间的台面区域就成为耗尽层，因此漂移层的沟道区域被夹断。由此，能够大本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种结势垒肖特基二极管，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的结势垒肖特基二极管，其特征在于：

3.如权利要求1或2所述的结势垒肖特基二极管，其特征在于：

4.如权利要求3所述的结势垒肖特基二极管，其特征在于：

5.如权利要求1或2所述的结势垒肖特基二极管，其特征在于：

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种结势垒肖特基二极管，其特征在于，包括：

2.如权利要求1所述的结势垒肖特基二极管，其特征在于：

3.如权利要求1或2所述的结势垒肖特...

【专利技术属性】
技术研发人员：有马润，藤田实，川崎克己，平林润，
申请(专利权)人：TDK株式会社，
类型：发明
国别省市：