表面分析方法及表面分析装置制造方法及图纸

本发明专利技术的表面分析装置的一方案具备：离子照射部(10、11、12、13)，以规定的入射角对固体试样(S)的表面照射动能一致的特定的离子种类的离子流；观测部(16、17、18)，对离子流观测与存在于固体试样的表面的原子或分子之间产生电荷转移反应并散射的离子；以及信息计算部(2)，基于观测部对离子的观测结果求出与固体试样的表面中的电特性或物性相关的信息。由此，能够在短时间内高效地获取固体试样的表面电位等与电特性、物性相关的信息的分布。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

本专利技术涉及分析固体试样的表面的方法及装置。

技术介绍

1、在作为电池用材料等使用的金属、半导体材料的研究与开发中，对固体试样的表面测量各种电特性或物性从而进行评价是非常重要的。此外，在进行附着于试样表面的污染物质的解析、金属的腐蚀的解析等时，也需要针对固体试样的表面测量电特性。

2、作为这样的测量固体表面的电特性的装置之一，已知有开尔文探针力显微镜(kel v i n probe force m i croscopy：kpfm)(参照非专利文献1～3)。如非专利文献1所示，可以说kpfm是主要用于掌握试样表面的形状的原子力显微镜(atomi c force m icroscope：afm)的发展形式。

3、在afm中，使前端锐利的探针一边在该探针的大致延伸方向上振动一边接近试样的表面，以该探针的振动的周期、振幅成为恒定的方式调整探针的前端与试样之间的距离，并且以非接触的方式使探针在该试样上移动。此时的探针的振动方向的面内的该探针的轨迹反映试样表面的凹凸，因此能够测量试样表面的形状。

4、在kpfm中，在像这样在探针振本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种表面分析方法，其特征在于，具有：

2.如权利要求1所述的表面分析方法，其特征在于，与所述固体试样的表面中的电特性或物性相关的信息为第二电离能、表面电位或电子的自旋状态中的至少任一个。

3.如权利要求1所述的表面分析方法，其特征在于，所述特定的离子种类为质子，在所述观测工序中，观测在所述固体试样的表面产生电荷反转并且散射的负极性的氢离子。

4.如权利要求1所述的表面分析方法，其特征在于，以在该表面上二维地扫描所述固体试样的表面中的离子流的照射位置的方式使该离子流及/或该固体试样移动，在所述信息计算工序中，使用伴随该移动而得到的信息来进行所述固体试...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】

1.一种表面分析方法，其特征在于，具有：

2.如权利要求1所述的表面分析方法，其特征在于，与所述固体试样的表面中的电特性或物性相关的信息为第二电离能、表面电位或电子的自旋状态中的至少任一个。

3.如权利要求1所述的表面分析方法，其特征在于，所述特定的离子种类为质子，在所述观测工序中，观测在所述固体试样的表面产生电荷反转并且散射的负极性的氢离子。

4.如权利要求1所述的表面分析方法，其特征在于，以在该表面上二维地扫描所述固体试样的表面中的离子流的照射位置的方式使该离子流及/或该固体试样移动，在所述信息计算工序中，使用伴随该移动而得到的信息来进行所述固体试样的表面中的该信息的映射。

5.如权利要求1所述的表面分析方法，其特征在于，在所述离子照射工序中，变更离子流向所述固体表面的入射角度，在所述观测工序中，通过变更作为观测对象的离子的散射角度，能够观测不伴随电荷转移反应而散射的离子。

6.如权利要求1所述的表面分析方法，其特征在于，在对所述固体试样施加了电压的状态下，进行基于所述离子照射工序、所述观测工序及所述信息计算工序的、与所述固体试样的表面中的电特性或物性相关的信息的获取。

7.如权利要求1所述的表面分析方法，其特征在于，通过来自外部的作用使所述固体试样的状态变化，在所述信息计算工序中，获取与所述固定试样的状态变化的有无的差异相应的信息。

8.如权利要求1所述的表面分析方法，其特征在于，在空间上缩窄与所述固体试样的表面接触的离子流，获取针对该固体试样的表面中的微小区域的信息。

9.如权利要求1所述的表面分析方法，其特征在于，在所述离子照射工序中，对所述固体试样的表面间...

【专利技术属性】
技术研发人员：古桥治，
申请(专利权)人：株式会社岛津制作所，
类型：发明
国别省市：