一类不对称并苯衍生物半导体材料及其制备方法与应用技术

本发明专利技术公开了一类不对称并苯衍生物半导体材料及其制备方法与应用，属于材料领域。本发明专利技术提供的式IV所示化合物，其结构式如下：式IV中，R和R’均选自H、C1～C24的烷基、C2～C24的烯基或炔基、C3～C24的环烷基中的任一种；R和R’相同或不同。本发明专利技术的不对称并苯衍生物半导体材料具有很好的水系稳定性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及材料领域，具体涉及的是一类不对称并苯衍生物半导体材料及其制备方法与应用。

技术介绍

1、并苯类化合物，因其具有良好的共平面分子结构，在有机场效应晶体管中广泛应用。在众多并苯类化合物中，线性并苯材料及硫杂并苯衍生物具有较高的性能，例如并五苯及其衍生物等。在对并苯类半导体材料的研究中发现，随着苯环重复单元n(n＝2,3…)的增加，相应的分子的重组能减小，转移积分增大，这也预示着较大共轭长度的材料具有较高的场效应性能。但是，随着n的增加，材料的稳定性减弱，例如在光照条件下，并五苯、并六苯等化合物容易发生光氧化加成，从而影响材料的传输特性。因此对共轭长度适中的并苯材料进行衍生化，构筑具有芳香基取代的并苯衍生物也是获得高性能有机半导体材料的重要方式。

2、目前，基于并苯材料的衍生物蓬勃发展，其性能也逐渐提高。相对于对称芳香取代的并苯衍生物，不对称芳香取代的并苯衍生物报道较少，但其场效应性能并不会逊色于其对称衍生物，不仅如此，不对称取代并苯衍生物在晶态发光方面表现出更高的发光效率，这也鼓励我们进一步探索不对称芳香取代的并苯衍生物材料。

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【技术保护点】

1.式IV所示化合物，其结构式如下：

2.根据权利要求1所述的式IV所示化合物，其特征在于：R为H、C1～C10的烷基中的任一种；

3.根据权利要求2所述的式IV所示化合物，其特征在于：R和R’为H、己基或辛基；R和R’不同时为H。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的式IV所示化合物的制备方法，包括如下步骤：

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述式I所述化合物、联硼酸频哪醇酯、氢氧化钠、三苯基膦和溴化铜的摩尔比为1:1～3:0.1～0.2:0.2～0.4:0.2～0.3；

6.根据权利要求4或5所述...

【技术特征摘要】

1.式iv所示化合物，其结构式如下：

2.根据权利要求1所述的式iv所示化合物，其特征在于：r为h、c1～c10的烷基中的任一种；

3.根据权利要求2所述的式iv所示化合物，其特征在于：r和r’为h、己基或辛基；r和r’不同时为h。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的式iv所示化合物的制备方法，包括如下步骤：

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：步骤(1)中，所述式i所述化合物、联硼酸频哪醇酯、氢氧化钠、三苯基膦和溴化铜的摩尔比为1:1～3:0.1～0.2:0.2～0.4:0.2～0.3；

6.根据权利要求4或5所述的制备方法，其特征在于：步骤(2)中，所述2，6-双-三氟甲磺酸基-蒽...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘洁，胡莹莹，江浪，
申请(专利权)人：中国科学院化学研究所，
类型：发明
国别省市：