【技术实现步骤摘要】
以下描述涉及负电平转换器,更具体地,涉及负电平转换器和包括该负电平转换器的显示装置。尽管本公开内容适用于广泛的应用范围,但是它特别适用于如下负电平转换器以及包括该负电平转换器的显示装置,该负电平转换器在不使用附加负电压的情况下使屏蔽电路中包括的元件的源极端子和体区连接,使得该元件可以在中压操作区域中操作。
技术介绍
1、由于ic处理技术的小型化,控制显示面板装置驱动的驱动器ic需要具有较小的尺寸。这样的驱动器ic使用负电压来驱动显示面板装置。
2、为了使用负电压,显示驱动器电路可能需要电平转换器,该电平转换器用于将在逻辑区域中输入的低电压信号改变为负电压信号。电平转换器是需要将预定施加的电压改变为所需电压并加以使用的装置。
3、当使用电平转换器执行负电平转换时,每个元件应在其自己的操作区域内操作。韩国专利第10-2246879号可以公开如下负电平转换,该负电平转换不需要附加负电压并使用屏蔽电路,使得包括在输入电路和负载电路中的元件可以在中压操作区域内操作。
4、然而,当使用最大中压作为负电压时,包括在
...【技术保护点】
1.一种负电平转换器,包括:
2.根据权利要求1所述的负电平转换器,其中,所述输入电路包括:
3.根据权利要求2所述的负电平转换器,其中,所述屏蔽电路的NMOS晶体管进一步包括:
4.根据权利要求3所述的负电平转换器,其中,所述第一PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管是高压元件,以及
5.根据权利要求4所述的负电平转换器,其中,第一电压被施加至所述第一PMOS晶体管的体区和所述第二PMOS晶体管的体区,以及
6.根据权利要求5所述的负电平转换器,其中,所述第一NMOS晶体管包括连接至第一节点的漏极端子、连接
...【技术特征摘要】
1.一种负电平转换器,包括:
2.根据权利要求1所述的负电平转换器,其中,所述输入电路包括:
3.根据权利要求2所述的负电平转换器,其中,所述屏蔽电路的nmos晶体管进一步包括:
4.根据权利要求3所述的负电平转换器,其中,所述第一pmos晶体管和所述第二pmos晶体管是高压元件,以及
5.根据权利要求4所述的负电平转换器,其中,第一电压被施加至所述第一pmos晶体管的体区和所述第二pmos晶体管的体区,以及
6.根据权利要求5所述的负电平转换器,其中,所述第一nmos晶体管包括连接至第一节点的漏极端子、连接至地的栅极端子以及连接至第三节点的源极端子,以及
7.根据权利要求6所述的负电平转换器,其中,所述负载电路包括:
8.根据权利要求1所述的负电平转换器,其中,当0v的反相输入信号和作为输入信号的第一电压被输入至所述第一电平转换器时,所述第二电平转换器被配置成:通过反相输出端子输出负电压并且通过输出端子输出地电压。
9.根据权利要求8所述的负电平转换器,其中,所述第二电平转换器包括:
10.根据权利要求9所述的负电平转换器,其中,所述第一pmos晶体管、所述第二pmos晶体管、所述第七nmos晶体管和所述第八nmos晶体管是中...
【专利技术属性】
技术研发人员:李明雨,林祐莹,
申请(专利权)人:美格纳智芯混合信号有限公司,
类型:发明
国别省市:
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