【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于含金属的膜形成用化合物、含金属的膜形成用组成物、及使用了前述组成物的图案形成方法。
技术介绍
1、伴随lsi的高整合化及高速度化,图案尺寸的微细化急速进展。光刻技术,合并其微细化,借由光源的短波长化及和其对应的抗蚀剂组成物的适当选择,已达成微细图案的形成。成为其中心的是以单层使用的正型光致抗蚀剂组成物。此单层正型光致抗蚀剂组成物,借由使抗蚀剂树脂中带有对于利用氯系或氟系的气体等离子所为的干蚀刻具有蚀刻耐性的骨架并带有曝光部会溶解的切换机构,使曝光部溶解而形成图案,将残存的抗蚀剂图案作为蚀刻掩膜而将被加工基板进行干蚀刻加工。
2、然而,当将使用的光致抗蚀剂膜的膜厚直接微细化,亦即,使图案宽度更小时,光致抗蚀剂膜的分辨性能会降低,且若欲利用显影液将光致抗蚀剂膜进行图案显影,则所谓的纵横比会变得过大,结果引起图案崩塌的问题发生。所以,伴随图案微细化,光致抗蚀剂膜也逐渐薄膜化。
3、另一方面,被加工基板的加工,通常使用将形成有图案的光致抗蚀剂膜作为蚀刻掩膜,并利用干蚀刻对基板进行加工的方法,但现实中并不存
...【技术保护点】
1.一种含金属的膜形成用化合物,是于含金属的膜形成用组成物使用的含金属的膜形成用化合物,其特征为:
2.根据权利要求1所述的含金属的膜形成用化合物,其中,该化合物以下列通式(A)表示,
3.根据权利要求2所述的含金属的膜形成用化合物,其中,该通式(1)中,X为碳数1~20的饱和或碳数2~20的不饱和烃基。
4.根据权利要求3所述的含金属的膜形成用化合物,其中,该通式(1)中,X是下列通式(3)中的任意者,
5.根据权利要求2所述的含金属的膜形成用化合物,其中,该含硅有机基团为下列通式(2A)表示的结构中的任意者,
...【技术特征摘要】
1.一种含金属的膜形成用化合物,是于含金属的膜形成用组成物使用的含金属的膜形成用化合物,其特征为:
2.根据权利要求1所述的含金属的膜形成用化合物,其中,该化合物以下列通式(a)表示,
3.根据权利要求2所述的含金属的膜形成用化合物,其中,该通式(1)中,x为碳数1~20的饱和或碳数2~20的不饱和烃基。
4.根据权利要求3所述的含金属的膜形成用化合物,其中,该通式(1)中,x是下列通式(3)中的任意者,
5.根据权利要求2所述的含金属的膜形成用化合物,其中,该含硅有机基团为下列通式(2a)表示的结构中的任意者,
6.一种含金属的膜形成用组成物,其特征为:含有根据权利要求1至5中任一项所述的(a)含金属的膜形成用化合物、及(b)有机溶剂。
7.根据权利要求6所述的含金属的膜形成用组成物,其中,该组成物更含有(c)交联剂、(e)表面活性剂、及(f)酸产生剂中的1种以上。
8.根据权利要求6所述的含金属的膜形成用组成物,其中,该(b)有机溶剂含有1种以上沸点180℃以上的有机溶剂作为(b1)高沸点溶剂。
9.根据权利要求6所述的含金属的膜形成用组成物,其中,该含金属的膜形成用组成物更含有(g)具有100nm以下的平均一次粒径的金属氧化物纳米...
【专利技术属性】
技术研发人员:小林直贵,长町伸宏,郡大佑,
申请(专利权)人:信越化学工业株式会社,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。