【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体结构，特别涉及一种包括连接层的半导体结构。
技术介绍
1、动态随机存取存储器(dynamic random access memory,dram)属于一种挥发性存储器，包括由多个存储单元(memory cell)构成的阵列区(array region)以及由控制电路构成的周边区(peripheral area)。各个存储单元是由一个晶体管(transistor)以及与所述晶体管电性连接的一个电容(capacitor)构成，由所述晶体管控制所述电容中的电荷的存储或释放，来达到存储资料的目的。控制电路通过横跨阵列区并且与各个存储单元电性连接的字线(word line,wl)与位线(bit line,bl)，可定址至各个存储单元来控制各个存储单元的资料的存取。
2、为了获得更高集密度的芯片，存储单元的结构已朝向三维(three-dimensional)发展，例如采用埋入式字线连接(buried wordline)以及堆叠式电容(stacked capacitor)技术。堆叠式电容技术是指将存储单元的电容设置在衬...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿着所述第二方向，所述围堤结构与所述第一延伸垫和所述第二延伸垫之间的间距大于所述连接垫之间的间距。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述围堤结构邻近所述第一延伸垫和所述第二延伸垫的内侧边缘具有直线轮廓。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一延伸垫与所述第二延伸垫包括不同长度。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一延伸垫和所述第二延伸垫邻近所述围堤结构的端部沿着所述第一方向切齐。
<...【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿着所述第二方向，所述围堤结构与所述第一延伸垫和所述第二延伸垫之间的间距大于所述连接垫之间的间距。
3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述围堤结构邻近所述第一延伸垫和所述第二延伸垫的内侧边缘具有直线轮廓。
4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一延伸垫与所述第二延伸垫包括不同长度。
5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一延伸垫和所述第二延伸垫邻近所述围堤结构的端部沿着所述第一方向切齐。
6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一延伸垫和所述第二延伸垫邻近所述围堤结构的端部沿着所述第一方向交错。
7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，沿着所述第二方向，所述围堤结构与所述第一延伸垫之间的间距大于所述围堤结构与所述第二延伸垫之间的间距。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述围堤结构邻近所述第一延伸垫和所述第二延伸垫的内侧边缘具有波浪状轮廓，且所述第一延伸垫和所述第二延伸垫的端部分别对应于所述波浪状轮廓的波谷区和波峰区。
9.一种半导体结构，其特征在于，包括：
10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，沿着所述第三方向，所述第一侧的所述第一连接垫和所述第二连接垫交替地与所述第一围堤结构相隔第三间距、第四间距和第五间距，其中所述第三间距、所述第四间距和所述第五间距互不相等。
11.如权利要求9所述的半导体结构，...
【专利技术属性】
技术研发人员：冯立伟，
申请(专利权)人：福建省晋华集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：
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