【技术实现步骤摘要】
本申请属于微显示,具体涉及一种微型发光二极管显示器件及制备方法。
技术介绍
1、micro led又称微型发光二极管,是指由led像素点高密度集成的led阵列,每一个led像素点都能自发光。在micro led制程中,为了增加led像素点的出光效率,需要在led像素点和驱动基板之间增加一层反射镜以提高led像素点的底部对光的反射效果。led像素点可以通过干法或湿法化学刻蚀形成,但刻蚀过程中,刻蚀物质容易与反射镜结构的材质反应从而造成金属的腐蚀或溢出,影响反射镜的反射效果并可能造成显示器件的漏电或短路,影响系统可靠性。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一种微型发光二极管显示器件及制备方法,通过引入阻挡层提高刻蚀工艺窗口,抑制刻蚀气体与反射层金属反应造成的金属溢出。
2、技术方案:本申请提供一种微型发光二极管显示器件,包括:
3、驱动基板,所述驱动基板包括驱动电路和与所述驱动电路连接的多个触点;
4、多个led单元,阵列排布于所述驱动基板上,所述led
...【技术保护点】
1.微型发光二极管显示器件,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器件,其特征在于,所述触点位于相邻的所述LED单元之间,所述触点上设有沿所述驱动基板厚度方向依次贯穿所述阻挡层、所述反射单元和所述键合层的第一通孔;
3.根据权利要求2所述的微型发光二极管显示器件,其特征在于,所述LED单元为台阶结构,所述台阶结构包括第一掺杂型半导体层、第二掺杂型半导体层和位于两者之间的有源层;所述台阶结构至少使相邻的LED单元的第二掺杂型半导体层和有源层分别相互断开且电隔离;
4.根据权利要求2所述的微型发光二极管显示器件,
...【技术特征摘要】
1.微型发光二极管显示器件,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器件,其特征在于,所述触点位于相邻的所述led单元之间,所述触点上设有沿所述驱动基板厚度方向依次贯穿所述阻挡层、所述反射单元和所述键合层的第一通孔;
3.根据权利要求2所述的微型发光二极管显示器件,其特征在于,所述led单元为台阶结构,所述台阶结构包括第一掺杂型半导体层、第二掺杂型半导体层和位于两者之间的有源层;所述台阶结构至少使相邻的led单元的第二掺杂型半导体层和有源层分别相互断开且电隔离;
4.根据权利要求2所述的微型发光二极管显示器件,其特征在于,还包括:
5.根据权利要求1所述的微型发光二极管显示器件,其特征在于,所述开口的面积为s1μm2,所述阻挡层的厚度为h μm,满足:1×10-5≤s1×h≤3.2。
6.根据权利要求5所述的微型发光二极管显示器件,其特征在于,所述led单元沿所述驱动基板厚度方向的正投影的面积为s2 μm2,所述显示器件进一步满足如下特征中的至少一者:
7.根据权利要求1所述的微型发光二极管显...
【专利技术属性】
技术研发人员:漆龙恒,庄永漳,
申请(专利权)人:镭昱光电科技苏州有限公司,
类型:发明
国别省市:
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