【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于检测装置,具体涉及一种相移干涉成像和定向发射sers成像同时检测装置。用于同时获得相互作用过程中位相变化三维图像以及分子结构变化信息,从多个渠道获取被测物分子间相互作用信息。
技术介绍
1、表面等离子体(sps)是金属表面自由电子的集体振荡波,由入射光激发而成。当自由电子的集体振荡频率与入射光频率一致时,产生共振现象,即表面等离子体共振。
2、在反kretschmann表面等离子体共振(spr)结构下,金属膜中的sps会被激发并增强金属表面的电场。增强的电场会激发被测物的拉曼信号,并通过棱镜的耦合定向发射出去,形成表面等离子体耦合发射sers。sers信号通过sps耦合发射时具有明显的方向性,发射角等于spr角,因此便于收集。由于sps的增强作用,sers信号能够与荧光信号相媲美,经过特殊的滤波后能够和荧光信号一样快速成像。
3、激光相移干涉技术通常用于光学元件表面形状的检测,检测不确定度可以达到0.1nmrms水平。激光相移干涉技术具有高稳定性和高灵敏度等优势。此外,相移干涉成像技术还可进行三维成
...【技术保护点】
1.相移干涉成像和定向发射SERS成像同时检测装置,其特征在于,包括相移干涉成像系统(1)、光学耦合系统(2)和定向发射SERS成像系统(3);
2.根据权利要求1所述的相移干涉成像和定向发射SERS成像同时检测装置,其特征在于,所述样品池(23)为顶端开口的容器,且沿外边缘密封固定在介质膜(22)的底面上,样品池(23)上设有入口和出口,被测物从入口注入样品池(23)内,从出口流出样品池(23),样品池(23)内的被测物与介质膜(22)接触。
3.根据权利要求1所述的相移干涉成像和定向发射SERS成像同时检测装置,其特征在于,所述相移干涉成像
...【技术特征摘要】
1.相移干涉成像和定向发射sers成像同时检测装置,其特征在于,包括相移干涉成像系统(1)、光学耦合系统(2)和定向发射sers成像系统(3);
2.根据权利要求1所述的相移干涉成像和定向发射sers成像同时检测装置,其特征在于,所述样品池(23)为顶端开口的容器,且沿外边缘密封固定在介质膜(22)的底面上,样品池(23)上设有入口和出口,被测物从入口注入样品池(23)内,从出口流出样品池(23),样品池(23)内的被测物与介质膜(22)接触。
3.根据权利要求1所述的相移干涉成像和定向发射sers成像同时检测装置,其特征在于,所述相移干涉成像系统(1)位于样品池(23)的正下方。
4.根据权利要求1所述的相移干涉成像和定向发射sers成像同时检测装置,其特征在于,所述相移干涉成像系统(1)是激光干涉仪,激光相移干涉仪中的激光器波长可调。
5.根据权利要求4所述的相移干涉成像和定向发射sers成像同时检测装置,其特征在于,所述激光相移干涉仪为菲索型干涉仪、迈克尔逊干涉仪或泰曼格林干涉仪。
6.根据...
【专利技术属性】
技术研发人员:刘钰,耿乙迦,梁静秋,
申请(专利权)人:中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,
类型:发明
国别省市:
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