【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体材料，具体涉及一种高纯砷制备装置及方法。
技术介绍
1、高纯砷是合成砷化镓化合物、砷化铟化合物、硒化砷化合物等的主要原料。广泛应用于集成电路、光伏太阳能发电技术等领域。近年来随着高新技术产业的发展，高纯砷的应用领域日益广泛。其中盐酸-氢化还原法，氯化-氢化还原法是生产高纯砷的常用方法，但是生产的工序多，生产周期长，需要投入大量设备及人员。
2、砷中的主要杂质元素为锡、锑、铅，且存在不同价态，其中高价态的沸点较低，砷升华的时候易与砷一起升华，较难去除。
3、鉴于此，提出本申请。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种高纯砷制备装置及方法，能够有效的对砷进行纯化，有效的提高砷的纯度。
2、为实现上述目的，本专利技术采取的技术方案为：
3、一种高纯砷制备装置，包括加热炉体和提纯罐，所述加热炉体和提纯罐之间设有加热套，所述提纯罐内部设有用于放置砷原料的容器，所述提纯罐内部设有位于容器上方的筛板，...
【技术保护点】
1.一种高纯砷制备装置，其特征在于，包括加热炉体和提纯罐，所述加热炉体和提纯罐之间设有加热套，所述提纯罐内部设有用于放置砷原料的容器，所述提纯罐内部设有位于容器上方的筛板，所述提纯罐上方设有加热器，所述提纯罐的外部设有冷凝管，所述冷凝管与提纯罐之间设有收集腔，所述冷凝管的上端与加热器连接，所述冷凝管的下端与加热炉体连接。
2.根据权利要求1所述的高纯砷制备装置，其特征在于，还包括连接腔，所述连接腔位于加热器与提纯罐之间，且所述连接腔位于收集腔上方。
3.根据权利要求1所述的高纯砷制备装置，其特征在于，还包括通气口，所述通气口穿过所述加热器与连接
<...【技术特征摘要】
1.一种高纯砷制备装置，其特征在于，包括加热炉体和提纯罐，所述加热炉体和提纯罐之间设有加热套，所述提纯罐内部设有用于放置砷原料的容器，所述提纯罐内部设有位于容器上方的筛板，所述提纯罐上方设有加热器，所述提纯罐的外部设有冷凝管，所述冷凝管与提纯罐之间设有收集腔，所述冷凝管的上端与加热器连接，所述冷凝管的下端与加热炉体连接。
2.根据权利要求1所述的高纯砷制备装置，其特征在于，还包括连接腔，所述连接腔位于加热器与提纯罐之间，且所述连接腔位于收集腔上方。
3.根据权利要求1所述的高纯砷制备装置，其特征在于，还包括通气口，所述通气口穿过所述加热器与连接腔相连接。
4.根据权利要求1所述的高纯砷制备装置，其特征在于，还包括温度压力检测仪，所述温度压力检测仪穿过所述加热器并延伸至提纯罐内部。
5.一种高纯砷制备方法，...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾小东，徐成，彭伟校，陈昭龙，
申请(专利权)人：广东先导微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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