【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及半导体器件制造，更具体地说，涉及具有激光释放层的晶片分选器。
技术介绍
1、三维芯片集成通过将元件堆叠在彼此的顶部上而有助于提高芯片面积效率。除此以外，这种堆叠可以降低芯片复杂性并提高性能，例如通过缩短信号传播时间。
2、然而，在将三维芯片的不同层接合在一起之前，将它们相对彼此定位可能是具有挑战性的。在一些情况下，在待放置的晶片特别薄的情况下，在没有支撑的情况下移动晶片可能导致损坏。因此，分选器可以用于为晶片提供结构支撑。当晶片移动时，这种分选器可以粘附到晶片的一侧，然后可以被解除接合和去除以提供进一步处理的机会。
3、该解除接合工艺可以包括使用激光，该激光穿过分选器的材料并加热解除接合层。当解除接合层被充分加热时，其可能升华并释放晶片。然而，解除接合层内的激光能量的吸收可能非常低(例如，约5％)。需要使用高功率激光器，这增加了解除接合工艺的成本。此外，由于实际上仅有少量的激光能量加热解除接合层，剩余的激光能量穿过以被周围材料和环境吸收。如果激光能量被非预期的结构吸收，这可能对晶片或其它电路造成
【技术保护点】
1.一种用于分选晶片的方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述解除接合层包括选自包括镁、铁、镍、铑、钯、铂和镥的组的金属材料。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述解除接合层包括金属材料，所述金属材料选自包括铍、钛、铬、锰和钴的组。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述解除接合层包含选自锆、铌、钨和铼的组的金属材料。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述解除接合层包括消光系数至少为5的金属。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述解除接合层的金属在至少10的波长下具有消光系数。
7.如权利...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于分选晶片的方法，包括：
2.如权利要求1所述的方法，其中所述解除接合层包括选自包括镁、铁、镍、铑、钯、铂和镥的组的金属材料。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述解除接合层包括金属材料，所述金属材料选自包括铍、钛、铬、锰和钴的组。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述解除接合层包含选自锆、铌、钨和铼的组的金属材料。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述解除接合层包括消光系数至少为5的金属。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述解除接合层的金属在至少10的波长下具有消光系数。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述波长选自1200nm与6000nm之间的范围。
8.如权利要求7所述的方法，其中所述波长选自1200nm和2500nm之间的范围。
9.如权利要求1所述的方法，其中所述光学增强层是由选自包括非晶硅、非晶锗及多晶锗的组的材料形成。
10.一种用于分选晶片的方法，包括：
11.如权利要求11所述的方法，其中将所述分选器接合到所述晶片包含将粘合剂层施加到所述接合层。
12.如权利要求11所述的方法，其中所述粘合剂层是聚酰亚胺层。
13.一种分选器晶片，包括：
14.如权利要求13所述的分选器晶...
【专利技术属性】
技术研发人员：堀部晃启，陈倩文，宫泽理沙，M·贝尔扬斯基，J·克尼克尔布克尔，久田隆史，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：
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